申请/专利权人：南京第三代半导体技术创新中心有限公司;中国电子科技集团公司第五十五研究所;南京第三代半导体技术创新中心

申请日：2024-04-09

公开（公告）日：2024-06-11

公开（公告）号：CN118173580A

主分类号：H01L29/06

分类号：H01L29/06;H01L29/40;H01L29/41;H01L29/78;H01L21/336

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.06.28#实质审查的生效;2024.06.11#公开

摘要：本发明公开一种图形化RESURF结构增强耐压的LDMOS器件及其制造方法。器件包括：位于第二导电类型漂移区中的第一导电类型表面电场抑制阵列，包括若干个第一导电类型掺杂区；位于第一钝化层之上的镂空场板，包括第一镂空场板和第二镂空场板；第二镂空场板为若干个空心结构，各空心结构位于每个第一导电类型掺杂区与第二导电类型漂移区形成的PN结之上，相邻空心结构之间连通；第一导电类型表面电场抑制阵列和镂空场板构成图形化RESURF结构，使电场在横向上分布更加平缓，提升了RESURF效果，提高了器件耐压。

主权项：1.一种图形化RESURF结构增强耐压的LDMOS器件，其特征在于，包括：衬底金属电极；位于衬底金属电极之上的第一导电类型衬底；位于第一导电类型衬底上的第一导电类型外延层；位于第一导电类型外延层中的第一导电类型阱区；位于第一导电类型阱区中的第一导电类型源区；位于第一导电类型外延层中的第二导电类型漂移区，第二导电类型漂移区与第一导电类型阱区接触，接触处形成PN结，记为PN0；位于第二导电类型漂移区中的第一导电类型表面电场抑制阵列，包括在X方向上排列的若干个第一导电类型掺杂区，i=1,2,3，......，n，n≥1，第一导电类型掺杂区与第二导电类型漂移区形成的PN结记为PNi；其中，定义器件的长度方向为X方向，宽度方向为Y方向，深度方向为Z方向；位于第一导电类型阱区中的第二导电类型源区；位于第二导电类型漂移区中的第二导电类型漏区；横跨部分第二导电类型源区表面、第一导电类型阱区表面、第二导电类型漂移区表面和部分第二导电类型漏区表面的栅介质层；位于部分栅介质层之上的第二导电类型多晶硅栅极；位于栅介质层、第二导电类型多晶硅栅极之上的第一钝化层；位于第一钝化层之上的镂空场板，镂空场板包括连通第一镂空场板和在X方向上排列的若干个第二镂空场板；所述第一镂空场板位于部分第一钝化层凸起处及第一钝化层侧壁，第二镂空场板与第一导电类型掺杂区一一对应，且第二镂空场板的中心镂空并位于第一导电类型掺杂区之上，相邻第二镂空场板连通，每个第二镂空场板包括在Y方向上排列的若干个第二镂空场板单元，第二镂空场板单元与第一导电类型掺杂单元一一对应；第二镂空场板与第一导电类型掺杂区中心重合；第一导电类型表面电场抑制阵列和镂空场板构成图形化RESURF结构；位于第一钝化层上方和镂空场板上方的第二钝化层；位于第二钝化层、第一钝化层内部的源极通孔、栅极通孔、漏极通孔、场板通孔；位于第二钝化层表面和源极通孔、栅极通孔、漏极通孔、场板通孔内部的源极金属电极、栅极金属电极、漏极金属电极以及场板金属电极，场板金属电极与栅极金属电极互连。

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