申请/专利权人:粤芯半导体技术股份有限公司
申请日:2024-03-14
公开(公告)日:2024-06-07
公开(公告)号:CN117894850B
主分类号:H01L29/78
分类号:H01L29/78;H01L29/06
优先权:
专利状态码:有效-授权
法律状态:2024.06.07#授权;2024.05.03#实质审查的生效;2024.04.16#公开
摘要:本申请涉及半导体技术领域,公开了一种抗HCI效应的LDMOS器件,包括:衬底,所述衬底或所述衬底的外延层内设有埋层区;漂移区,所述漂移区设于所述衬底内且位于所述埋层区上方,所述漂移区上设有体区;栅极结构,所述栅极结构设于所述衬底上,且横跨所述漂移区和所述体区;场氧,所述场氧设于所述衬底上且连接所述栅极结构,在所述场氧与所述衬底之间设有用于钝化界面悬挂键的Si‑F键区,所述Si‑F键区通过在所述场氧和所述衬底的界面处进行F元素的离子注入形成;自对准隔离层,所述自对准隔离层设于所述衬底上且用于覆盖所述LDMOS器件的有源区,以及部分覆盖所述栅极结构的多晶硅表面。本申请提高LDMOS器件抵抗HCI的能力,从而提高LDMOS器件的可靠性。
主权项:1.一种抗HCI效应的LDMOS器件,其特征在于,包括:衬底,所述衬底内设有埋层区,所述衬底的材料包括单晶硅、碳化硅或锗硅;漂移区,所述漂移区设于所述衬底内且位于所述埋层区上方,所述漂移区上设有体区;栅极结构,所述栅极结构设于所述衬底上,且横跨所述漂移区和所述体区;场氧,所述场氧设于所述衬底上且连接所述栅极结构,在所述场氧与所述衬底之间设有用于钝化界面悬挂键的Si-F键区,所述Si-F键区通过在所述场氧和所述衬底的界面处进行F元素的离子注入形成;自对准隔离层,所述自对准隔离层设于所述衬底上且用于覆盖所述LDMOS器件的有源区,以及部分覆盖所述栅极结构的多晶硅表面。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 粤芯半导体技术股份有限公司 抗HCI效应的LDMOS器件
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