龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
申请/专利权人：北京智芯微电子科技有限公司;浙江大学
申请日：2024-05-07
公开（公告）日：2024-06-04
公开（公告）号：CN118136678A
主分类号：H01L29/78
分类号：H01L29/78;H01L29/10;H01L29/423;H01L21/28;H01L21/336
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.06.21#实质审查的生效;2024.06.04#公开
摘要：本发明涉及半导体技术领域，提供一种双栅双沟道LDMOS器件及制造方法。所述LDMOS器件包括：衬底，形成于衬底上的掩埋层、漂移区、体区、源区和漏区，以及位于体区上表面的栅氧化层和第一栅极；体区与源区及漂移区相接，漂移区与源区及漏区相接，掩埋层位于漂移区的底部，掩埋层与器件本体外的第二栅极相连；体区与栅氧化层及第一栅极组成MOSFE结构，使得体区表面形成第一沟道；体区与漂移区、掩埋层及第二栅极组成JFET结构，使得漂移区表面形成第二沟道。本发明通过双导电沟道的方式，提高击穿电压同时降低器件的比导通电阻，该器件的结构简单，制造工艺复杂度较低且可与CMOS工艺集成。
主权项：1.一种双栅双沟道LDMOS器件，其特征在于，包括：衬底，形成于衬底上的掩埋层、漂移区、体区、源区和漏区，以及位于体区上表面的栅氧化层和第一栅极；所述体区与源区及漂移区相接，所述漂移区与源区及漏区相接，所述掩埋层位于漂移区的底部，所述掩埋层与器件本体外的第二栅极相连；所述体区与栅氧化层及第一栅极组成MOSFET结构，使得体区表面形成第一沟道；所述体区与漂移区、掩埋层及第二栅极组成JFET结构，使得漂移区表面形成第二沟道。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 北京智芯微电子科技有限公司;浙江大学 双栅双沟道LDMOS器件及制造方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号