龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
申请/专利权人：上海合利微半导体有限责任公司
申请日：2024-05-06
公开（公告）日：2024-06-21
公开（公告）号：CN118232899A
主分类号：H03K17/687
分类号：H03K17/687;H03K19/00
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.21#公开
摘要：本发明涉及低功耗控制电路技术领域，具体公开一种模拟电路的高线性度低功耗控制电路及方法，该电路包括：PMOS控制电路，包括多个并联的PMOS通路，每个PMOS通路包括工作PMOS管、串联开关和并联开关，工作PMOS管和串联开关连接成串联结构，并联开关两端与工作PMOS管的源漏极并联形成并联结构；NMOS控制电路，包括多个并联的NMOS通路，每个NMOS通路包括工作NMOS管、串联开关和并联开关，工作NMOS管和串联开关连接成串联结构，并联开关两端与工作NMOS管的源漏极并联形成并联结构。本发明通过将工作PMOS管、工作NMOS管与开关形成的串并联结构，实现了低功耗配置，提升了电路的线性度性能。
主权项：1.一种模拟电路的高线性度低功耗控制电路，其特征在于，包括：PMOS控制电路，包括多个PMOS通路，各个PMOS通路并联在一起，每个PMOS通路包括工作PMOS管、串联开关和并联开关，所述工作PMOS管和串联开关连接成串联结构，所述并联开关两端与所述工作PMOS管的源漏极并联形成并联结构；NMOS控制电路，包括多个NMOS通路，各个NMOS通路并联在一起，每个NMOS通路包括工作NMOS管、串联开关和并联开关，所述工作NMOS管和串联开关连接成串联结构，所述并联开关两端与所述工作NMOS管的源漏极并联形成并联结构。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海合利微半导体有限责任公司 一种模拟电路的高线性度低功耗控制电路及方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号