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申请/专利权人：武汉大学
申请日：2024-02-05
公开（公告）日：2024-06-21
公开（公告）号：CN118228570A
主分类号：G06F30/27
分类号：G06F30/27;H01J37/317;H01J37/244;G06F30/23;G16C10/00;G06N3/048;G06N3/126;G06F119/14;G06F119/08;G06F111/06
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.21#公开
摘要：一种碳化硅双空位色心离子束注入方法及系统，涉及离子束注入技术领域，包括：建立氮离子注入碳化硅的分子动力学模型，以及分子动力学模拟结果数据库；基于分子动力学模拟结果数据库，建立氮离子注入碳化硅的RVE模型，以及有限元模拟结果数据库；基于分子动力学模拟结果数据库和有限元模拟结果数据库优化注入工艺参数，选择最佳参数组，进行离子束注入实验；监测离子束注入过程的束流特征，实时探测双空位色心的产生，监测注入过程温度场演变，基于监测结果，实时调整离子束注入的工艺参数至注入完成。本申请考虑多尺度效应，通过多物理场多尺度建模仿真，并基于径向基神经网络优化离子束注入工艺参数，可突破制备稳定性限制，提高制备可重复性。
主权项：1.一种碳化硅双空位色心离子束注入方法，其特征在于，所述碳化硅双空位色心离子束注入方法包括：建立氮离子注入碳化硅的分子动力学模型，以及不同注入工艺参数下，分子动力学模型对应的离子束注入碳化硅的氮注入深度、碳化硅晶体的位错分布和断裂能所构成的分子动力学模拟结果数据库；基于所述碳化硅晶体的位错分布和断裂能，建立氮离子注入碳化硅的代表性体积单元RVE模型，以及不同注入工艺参数下，RVE模型所对应的有限元模拟结果数据库；基于分子动力学模拟结果数据库和有限元模拟结果数据库优化注入工艺参数，选择最佳参数组，进行离子束注入实验；监测离子束注入过程的束流特征，实时探测双空位色心的产生，并监测注入过程温度场演变，且基于监测结果，实时调整离子束注入的工艺参数至注入完成。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 武汉大学 一种碳化硅双空位色心离子束注入方法及系统
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