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申请/专利权人：天津工业大学
申请日：2022-12-20
公开（公告）日：2024-06-21
公开（公告）号：CN118218844A
主分类号：B23K35/40
分类号：B23K35/40;B23K35/36;B23K31/02;B23K37/00;B23K101/40
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.21#公开
摘要：本发明属于第三代半导体器件封装互连领域。本发明提供了一种基于酮羧酸银焊膏的制备方法及应用，通过2‑甲基乙酰乙酸乙酯冷萃得到酮羧酸溶液，然后将所得酮羧酸溶液与硝酸银混合，从而稳定得到的酮羧酸银。本发明所得酮羧酸银焊膏在烧结过程中会原位分解生成银颗粒，避免了传统纳米银焊膏中银颗粒的团聚，且降低了有机溶剂的引入，有助于促进第三代半导体器件中芯片与DBA或DBC基板封装互连的可靠性。
主权项：1.一种基于酮羧酸银的焊膏，其特征在于，所述酮羧酸银同时具备醛基基团-CHO和羧酸基团-COOH，结构为C4H5O4Ag。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 天津工业大学 一种基于酮羧酸银焊膏的制备方法及应用
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