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申请/专利权人：中山大学
申请日：2024-03-26
公开（公告）日：2024-06-21
公开（公告）号：CN118231451A
主分类号：H01L29/10
分类号：H01L29/10;H01L29/51;H01L29/78;H01L29/66
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.21#公开
摘要：本申请公开了一种栅控晶体管及其制备方法，其中方法包括以下步骤：提供一底部栅极；在所述底部栅极上形成电解质介质层；所述电解质介质层为掺杂一定浓度氢离子的金属氧化物介质层；在所述电解质介质层上形成半导体沟道层，其中所述半导体沟道层掺杂有光致变色材料；在所述半导体沟道层上形成漏极与源极，得到栅控晶体管。本方法可以得到较好的长程突触可塑性的栅控晶体管。本申请可广泛应用于半导体技术领域。
主权项：1.一种栅控晶体管制备方法，其特征在于，包括：提供一底部栅极；在所述底部栅极上形成电解质介质层；所述电解质介质层为预设浓度氢离子的金属氧化物介质层；在所述电解质介质层上形成半导体沟道层，其中所述半导体沟道层掺杂有光致变色材料；在所述半导体沟道层上形成漏极与源极，得到栅控晶体管。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中山大学 一种栅控晶体管及其制备方法
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