龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
申请/专利权人：联华电子股份有限公司
申请日：2022-12-21
公开（公告）日：2024-06-21
公开（公告）号：CN118231374A
主分类号：H01L23/522
分类号：H01L23/522;H01L21/768;H10N97/00
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.21#公开
摘要：本发明公开一种金属‑绝缘层‑金属电容结构及其制作方法，其中金属‑绝缘层‑金属电容结构包含多层金属层间介电层，一沟槽埋入于多层金属层间介电层，一电容设置在沟槽中，其中电容包含一第一电极层、一电容介电层和一第二电极层，第一电极层、电容介电层和第二电极层填入并环绕沟槽，其中电容介电层位于第一电极层和第二电极层之间，一氧化硅衬层环绕沟槽侧壁并且接触第一电极层。
主权项：1.一种金属-绝缘层-金属电容结构，包含：多层金属层间介电层inter-metaldielectric；沟槽，埋入于该多层金属层间介电层；电容，设置在该沟槽中，其中该电容包含：第一电极层、电容介电层和第二电极层，该第一电极层、该电容介电层和该第二电极层填入并环绕该沟槽，其中该电容介电层位于该第一电极层和该第二电极层之间。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 联华电子股份有限公司 金属-绝缘层-金属电容结构及其制作方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号