龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
申请/专利权人：江苏杰太光电技术有限公司
申请日：2024-03-07
公开（公告）日：2024-06-21
公开（公告）号：CN118231516A
主分类号：H01L31/18
分类号：H01L31/18;H01L31/0216;H01L31/0224;H01L31/068
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.21#公开
摘要：本发明属于晶体硅太阳能电池技术领域，具体涉及一种双面poly选择性钝化接触电池制备方法，包括如下步骤：S1：对硅片进行清洗制绒；S2：硅片正面制作氧化硅和沉积第一层掺硼非晶硅；S3：硅片正面沉积第二层掺硼非晶硅；S4：对硅片退火，晶化硅片表面；S5：硅片背面绒面刻蚀抛光，清洗硅片表面氧化层；S6：对硅片背面制作氧化硅和沉积第一层掺磷非晶硅；S7：对硅片的背面的金属接触区沉积第二层掺磷非晶硅；S8：对硅片退火，晶化硅片表面S9：清洗硅片表面的氧化层；S10：对硅片的正面制备钝化膜，对硅片的正面和背面采制备减反射膜；S11：硅片通过丝网印刷烧结工艺制做成电池。通过本发明的制备工艺，能大大降低电能损失和提高电池效率。
主权项：1.一种双面poly选择性钝化接触电池制备方法，其特征在于，包括如下步骤：S1：对硅片进行清洗制绒；S2：所述硅片采用板式PECVD工艺正面制作氧化硅，采用板式PVD工艺沉积第一层掺硼非晶硅；S3：所述硅片采用板式PVD工艺对所述硅片正面金属接触区沉积第二层掺硼非晶硅；S4：将所述硅片放置于高温退火炉，晶化所述第一层掺硼非晶硅形成PN结和晶化所述第二层掺硼非晶硅形成高掺接触钝化区，激活推进掺杂原子形成发射极；S5：对所述硅片的背面采用链式HF工艺清洗氧化层，对所述硅片的背面采用槽式KOH工艺刻蚀抛光，对所述硅片的表面槽式HF工艺清洗氧化层；S6：对所述硅片背面采用板式PECVD工艺制作氧化硅，采用板式PVD工艺沉积第一层掺磷非晶硅；S7：对所述硅片的背面的金属接触区采用板式PVD工艺沉积第二层掺磷非晶硅；S8：将所述硅片放置于高温退火炉，晶化所述第一层掺磷非晶硅形成具有场钝化和隧穿效应的高低结，晶化所述第二层掺磷非晶硅形成高掺接触钝化区，激活推进掺杂原子；S9：采用清洗工艺对所述硅片表面的氧化层清洗；S10：对所述硅片的正面采用ALD工艺制备钝化膜，对所述硅片的正面和背面采用管式PECVD工艺制备减反射膜；S11：所述硅片通过丝网印刷烧结工艺制做成电池。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 江苏杰太光电技术有限公司 一种双面poly选择性钝化接触电池制备方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号