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申请/专利权人：常熟理工学院
申请日：2024-04-09
公开（公告）日：2024-06-21
公开（公告）号：CN118006143B
主分类号：C09C1/00
分类号：C09C1/00;C09C3/04;C09C3/12;C09C3/06;C09K5/14;C08L83/04;C08K9/00;C08K3/38;C08K9/06;C08K9/04
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.21#授权;2024.05.28#实质审查的生效;2024.05.10#公开
摘要：本发明公开了一种低界面热阻氮化硼导热骨架的制备方法，包括步骤：对氮化硼纳米片在氩气和水气氛下进行等离子体改性，将等离子体改性后的氮化硼纳米片采用硅烷偶联剂改性，将等离子偶联剂联合改性后的氮化硼纳米片分散至聚丙烯腈溶液中并进行真空抽滤并干燥得到氮化硼聚丙烯腈饼，将氮化硼聚丙烯腈饼在保护气氛下煅烧使聚丙烯腈热解为石墨结构得到所述低界面热阻氮化硼导热骨架。进一步的将低界面热阻氮化硼导热骨架浸入到聚合物基体溶液中并在真空环境中放置，取出浸渍有聚合物基体的低界面热阻氮化硼导热骨架进行固化得到低界面热阻导热复合材料。本发明可减少氮化硼纳米片的使用并具有高导热率。
主权项：1.一种低界面热阻氮化硼导热骨架的制备方法，其特征在于，包括步骤：对氮化硼纳米片在氩气和水气氛下进行等离子体改性，所述等离子体改性时气流速度0.5～4Lmin，等离子反应时间10～150s，等离子改性电压为2～10kV，频率为1～4kHz，将等离子体改性后的氮化硼纳米片采用硅烷偶联剂改性，将等离子偶联剂联合改性后的氮化硼纳米片分散至聚丙烯腈溶液中并进行真空抽滤并干燥得到氮化硼聚丙烯腈饼，所述聚丙烯腈溶液浓度为0.1wt%～4wt%，等离子偶联剂联合改性后的氮化硼纳米片与聚丙烯腈的质量比为10:1～1:1，将氮化硼聚丙烯腈饼在保护气氛下煅烧使聚丙烯腈热解为石墨结构得到所述低界面热阻氮化硼导热骨架，所述将氮化硼聚丙烯腈饼在保护气氛下煅烧是将氮化硼聚丙烯腈饼在保护气氛下于100～300℃保温1～1.5h，然后在800～1500℃下保温1～1.5h。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 常熟理工学院 一种低界面热阻氮化硼导热骨架及导热复合材料的制备方法
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