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申请/专利权人：南京第三代半导体技术创新中心有限公司;中国电子科技集团公司第五十五研究所;南京第三代半导体技术创新中心
申请日：2024-04-28
公开（公告）日：2024-06-21
公开（公告）号：CN118099222B
主分类号：H01L29/78
分类号：H01L29/78;H01L29/40;H01L21/336
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.21#授权;2024.06.14#实质审查的生效;2024.05.28#公开
摘要：本发明公开了一种内置场板的侧壁栅碳化硅功率场效应晶体管及其制造方法，包括：位于第一导电类型外延层内部的第二导电类型深阱区；位于第一导电类型外延层之中且位于第二导电类型深阱区之上的第二导电类型浅阱区；位于第一导电类型外延层之上的三明治结构：第一介质层、多晶硅场板、第二介质层，位于多晶硅场板侧面的第三介质层；本发明通过在JFET区上方放置接源极的多晶硅场板，从而抑制JFET区表面电场；另一方面由于JFET区上方的第三介质层远厚于栅介质层，可进一步降低介质电场，提高器件可靠性，同时保证工艺成品率的前提下降低器件沟道电阻，提高栅极可靠性。
主权项：1.一种内置场板的侧壁栅碳化硅功率场效应晶体管，其特征在于，包括：漏极金属电极；位于漏极金属电极之上的第一导电类型衬底；位于第一导电类型衬底之上的第一导电类型外延层；位于第一导电类型外延层内部的第二导电类型深阱区；位于第一导电类型外延层之中，且位于第二导电类型深阱区之上的第二导电类型浅阱区；位于相邻第二导电类型深阱区之间和相邻第二导电类型浅阱区之间的第一导电类型外延层作为第一导电类型JFET区；位于第二导电类型浅阱区之中的第一导电类型源区；位于第一导电类型源区与第一导电类型JFET区之间的第二导电类型浅阱区作为第二导电类型沟道区；位于第一导电类型外延层之上的第一介质层；位于第一介质层之上的多晶硅场板；位于多晶硅场板之上的第二介质层；第一介质层、多晶硅场板、第二介质层形成三明治结构；位于第一导电类型外延层之上、三明治结构两侧的栅介质层；位于多晶硅场板侧面的第三介质层；位于栅介质层之上、第一介质层两侧、第三介质层两侧和第二介质层两侧及之上形成第一导电类型多晶硅栅极；位于栅介质层之上、第二介质层之上、第一导电类型多晶硅栅极两侧的钝化层；贯通钝化层的通孔；位于钝化层之上、通孔之中及之上的源极金属电极。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 南京第三代半导体技术创新中心有限公司;中国电子科技集团公司第五十五研究所;南京第三代半导体技术创新中心 一种内置场板的侧壁栅碳化硅功率场效应晶体管及其制造方法
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