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申请/专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日：2020-11-25
公开（公告）日：2024-06-21
公开（公告）号：CN112466732B
主分类号：H01J37/24
分类号：H01J37/24;H01J37/244;H01J37/302;H01J37/305;H01J37/32
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.21#授权;2021.03.26#实质审查的生效;2021.03.09#公开
摘要：本发明提供一种半导体工艺设备和等离子体启辉方法，其中，半导体工艺设备包括：反应腔室；进气组件，用于向所述反应腔室中通入反应气体；上电极组件，用于将所述反应气体激发成等离子体；监测器，用于在所述等离子体点火时，监测所述反应腔室中等离子体的电磁辐射强度；控制器，用于判断所述监测器监测到的电磁辐射强度是否达到预设强度，若是，则确定等离子体点火成功；在等离子体点火成功后，控制所述上电极组件进行第一预设时长的阻抗匹配。本发明可以提高刻蚀效果的一致性。
主权项：1.一种半导体工艺设备，其特征在于，包括：反应腔室；进气组件，用于向所述反应腔室中通入反应气体；上电极组件，用于将所述反应气体激发成等离子体；监测器，用于在所述等离子体点火时，监测所述反应腔室中等离子体的电磁辐射强度；控制器，用于判断所述监测器监测到的电磁辐射强度是否达到预设强度，若是，则确定等离子体点火成功；在等离子体点火成功后，控制所述上电极组件进行第一预设时长的阻抗匹配；所述第一预设时长为一定值，所述定值大于或等于所述上电极组件将反射功率调整至目标反射功率所需的最大时长。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 北京北方华创微电子装备有限公司 半导体工艺设备和等离子体启辉方法
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