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申请/专利权人：C3奈米有限公司
申请日：2018-12-05
公开（公告）日：2024-06-21
公开（公告）号：CN113744917B
主分类号：H01B5/14
分类号：H01B5/14;H01B1/02;B82Y30/00
优先权：["20171206 US 62/595,281","20180412 US 15/951,758"]
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.21#授权;2021.12.21#实质审查的生效;2021.12.03#公开
摘要：本申请涉及薄且均匀的银纳米线、合成方法和由所述纳米线形成的透明导电膜。本发明描述了高度均匀且薄的银纳米线，其具有低于20纳米的平均直径以及小的直径标准偏差。所述银纳米线具有高的高宽比。所述银纳米线的特征可在于具有大于18纳米的直径且在稀溶液中具有蓝移的窄吸收光谱的少量纳米线。描述了允许合成窄且均匀的银纳米线的方法。由薄且均匀的银纳米线形成的透明导电膜可具有非常低水平的雾度和低ΔL*漫射发光度值，使得所述透明导电膜可提供黑色背景的外观的极小改变。
主权项：1.一种透明导电性结构，其包含：透明衬底，位于所述透明衬底的第一表面上的第一稀疏金属导电层和位于所述第一稀疏金属导电层上的聚合物外涂层，其中所述透明导电性结构具有不大于约100Ωsq的薄层电阻、至少约90％的可见光总透射率和不大于约0.40％的雾度，其中所述第一稀疏金属导电层包含熔合金属纳米结构化网络和多糖，其中所述熔合金属纳米结构化网络包含纳米线片段，所述纳米线片段具有不大于约20纳米的平均直径以及不大于约2.5纳米的直径标准偏差，其中不超过25％的所述纳米线片段具有大于18纳米的平均直径，并且其中在具有黑色表面的衬底上以漫反射配置获得的ΔL*值为不大于1.5的值，ΔL*＝所述导电性结构的L*减去不具有所述第一稀疏金属导电层和所述聚合物外涂层的结构的L*。
全文数据：
权利要求：
百度查询： C3奈米有限公司 薄且均匀的银纳米线、合成方法和由所述纳米线形成的透明导电膜
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