申请/专利权人:普冉半导体(上海)股份有限公司
申请日:2022-01-12
公开(公告)日:2024-06-21
公开(公告)号:CN114442716B
主分类号:G05F1/56
分类号:G05F1/56
优先权:
专利状态码:有效-授权
法律状态:2024.06.21#授权;2022.05.24#实质审查的生效;2022.05.06#公开
摘要:本申请提供了一种精确高速电压跟随电路及集成电路。电压跟随电路包括源极输出电路、第一偏置电路和第二偏置电路。源极输出电路包括源极连接一起的第一NMOS管和第一PMOS管;第一偏置电路中,第一差分对管精确跟随输入电压,第二NMOS管的栅源电压和第一差分对管的输出电压叠加构成第一偏置电压,第二NMOS管还和第一NMOS管构成第一比例电流镜;第二偏置电路中,第二差分对管精确跟随输入电压,第二PMOS管的栅源电压和第二差分对管的输出电压叠加构成第二偏置电压,第二PMOS管还和第一PMOS管构成第二比例电流镜。电流镜的电流和MOS管宽长比匹配设置,使输出电压精确跟随输入电压、且具有很强的上拉和下拉能力,适于高速驱动负载。集成电路包括上述电压跟随电路。
主权项:1.一种精确高速电压跟随电路,其特征在于,包括:源极输出电路,包括源极连接的第一NMOS管和第一PMOS管,所述第一NMOS管的漏极连接至VDD,所述第一PMOS管的漏极接地;第一偏置电路,输入端连接至输入电压、输出端连接至所述第一NMOS管的栅极以提供随所述输入电压变化的第一偏置电压;所述第一偏置电路包括第一差分对管和第二NMOS管,所述第一差分对管对所述输入电压实现精确跟随,所述第二NMOS管的栅源电压和所述第一差分对管的输出电压叠加构成所述第一偏置电压,所述第二NMOS管还和所述第一NMOS管构成第一比例电流镜;第二偏置电路,输入端连接至所述输入电压、输出端连接至所述第一PMOS管的栅极以提供随所述输入电压变化的第二偏置电压;所述第二偏置电路包括第二差分对管和第二PMOS管,所述第二差分对管对所述输入电压实现精确跟随,所述第二PMOS管的栅源电压和所述第二差分对管的输出电压叠加构成所述第二偏置电压,所述第二PMOS管还和所述第一PMOS管构成第二比例电流镜;在正常工作状态,所述第一NMOS管的栅源电压补偿所述第一偏置电压和所述输入电压的差值,所述第一PMOS管的栅源电压补偿所述第二偏置电压和所述输入电压的差值,使所述源极输出电路的输出电压精确跟随所述输入电压。
全文数据:
权利要求:
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