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申请/专利权人：西安电子科技大学
申请日：2021-02-23
公开（公告）日：2024-06-21
公开（公告）号：CN114976660B
主分类号：H01Q15/00
分类号：H01Q15/00
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.21#授权;2022.09.16#实质审查的生效;2022.08.30#公开
摘要：本发明涉及一种具有超宽带外抑制特性的带通型频率选择表面，属于电磁波频率选择表面技术领域，解决了现有带通型频率选择表面频带抑制范围窄、抑制强度弱的问题。该表面包括多个二维阵列排列的谐振单元，谐振单元包括上、中、下三个介质基板，相邻的介质基板之间有夹层，还包括电容器；电容器的上极板覆盖于上介质基板的上表面，下极板覆盖于下介质基板的下表面；上介质基板的下表面的四个直角位置处均耦合有相同的金属条组，中介质基板的上表面印制有二维阵列排列的正方形金属栅格；下介质基板的上表面印制有方环形金属片。该频率选择表面频带抑制范围宽、抑制强度大且结构小型化。
主权项：1.一种具有超宽带外抑制特性的带通型频率选择表面，其特征在于，包括多个二维阵列排列的谐振单元，所述谐振单元包括沿电磁波正入射方向依次排列的上、中、下三个介质基板，相邻的介质基板之间设置有夹层，还包括电容器；所述电容器的上极板和下极板均为金属层，所述金属层通过弯折十字缝隙分为四个相同的金属片，且所述弯折十字缝隙以上介质基板的中心为旋转中心呈90°旋转对称；电容器的上极板覆盖于上介质基板的上表面，下极板覆盖于下介质基板的下表面；上介质基板的下表面的四个直角位置处均耦合有相同的金属条组，且该金属条组以所述上介质基板的中心为旋转中心呈90°旋转对称；中介质基板的上表面印制有二维阵列排列的正方形金属栅格；所述下介质基板的上表面印制有方环形金属片；相邻的谐振单元中，对应上介质基板下表面的方环形金属片向相邻谐振单元中弯折形成的，谐振单元阵列排列形成滤波表面时，分开设置的上介质基板下表面的弯折方环形金属片和下介质基板上表面的方环形金属片具有不同的谐振频率。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 西安电子科技大学 一种具有超宽带外抑制特性的带通型频率选择表面
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