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申请/专利权人：暨南大学
申请日：2021-08-26
公开（公告）日：2024-06-21
公开（公告）号：CN113745359B
主分类号：H01L31/0296
分类号：H01L31/0296;H01L31/0445;H01L31/18
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.21#授权;2021.12.21#实质审查的生效;2021.12.03#公开
摘要：本发明公开了一种碲化镉梯度吸收层的制备方法及太阳电池。该方法包括：在硒源层上沉积p型CdTe薄膜，当CdTe薄膜沉积完成后进行快速超高温扩散反应过程，然后进行激活热处理工艺，快速超高温扩散反应过程是指在CdTe薄膜沉积完成后，将沉积得到的薄膜叠层快速升温至550～620℃的高温，高压氮气或惰性气体环境下，保持1～20min，然后快速降温。本发明提出通过在吸收层沉积完毕后，引入高温扩散反应过程，调控优化Se在吸收层中均匀扩散反应，形成组分分布可控和低缺陷浓度的高质量CdTeSeCdTe梯度结构吸收层，显著改善了梯度吸收层组分分布及电学特性，有效提高了CdTe太阳电池的光电转换效率。
主权项：1.一种碲化镉太阳电池中碲化镉梯度吸收层的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：在硒源层上沉积CdTe薄膜，当CdTe薄膜沉积完成后进行快速超高温扩散反应过程，然后进行激活热处理工艺，制得所述碲化镉梯度吸收层；所述快速超高温扩散反应过程是指在CdTe薄膜沉积完成后，将沉积得到的薄膜叠层在惰性气体环境下快速升温至平台温度，保持时间为1~20min，然后快速降温；其中，快速升温和快速降温过程分别满足：300℃至平台温度或平台温度降至300℃在1分钟内完成，平台温度为550~620℃；所述快速超高温扩散反应过程中的惰性气体的气压控制在50~80kPa；所述激活热处理工艺，是指将快速超高温扩散反应后的样品置于含CdCl2或MgCl2环境下进行热处理，热处理温度为350~450℃，热处理时间为10~30min。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 暨南大学 一种碲化镉梯度吸收层的制备方法及太阳电池
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