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【发明授权】一种低成熟度烃源岩最佳脱气温度确定方法_西安石油大学_202211036014.X 

申请/专利权人:西安石油大学

申请日:2022-08-27

公开(公告)日:2024-06-21

公开(公告)号:CN115406921B

主分类号:G01N24/08

分类号:G01N24/08;G01N1/28;G01N1/44;G01N15/08

优先权:

专利状态码:有效-授权

法律状态:2024.06.21#授权;2022.12.16#实质审查的生效;2022.11.29#公开

摘要:本发明公开了一种低成熟度烃源岩最佳脱气温度确定方法,涉及石油与天然气储层岩石预处理领域。基于制作的标准小直径岩心,开展常规80℃下的干燥处理,对干燥处理后岩心开展蒸馏水饱和下的核磁共振T2谱测试以及干燥岩心的低温氮气吸附测试;对干燥处理后标准小直径岩心分别开展马弗炉不同加热温度的48h干燥处理,进行干燥处理后的饱和蒸馏水核磁共振T2谱测试及低温氮气吸附测试;针对获取的不同加热温度下饱和蒸馏水样品的核磁共振T2谱曲线和低温氮气孔隙结构曲线,采用差值法与80℃下相应曲线进行对比,以不同加热温度下,基于核磁共振技术评价以及低温氮气吸附技术评价均表现为最小差异性变化所对应的加热温度作为低成熟度烃源岩最佳脱气温度。

主权项:1.一种低成熟度烃源岩最佳脱气温度确定方法,其特征在于,包括以下步骤:S1:分别制作直径25mm长度50mm的标准岩心若干块;S2:将获取的标准岩心置于80℃的烘箱中烘干48h,并对烘干后低成熟度烃源岩进行干燥条件下的核磁共振T2谱测试,获取核磁共振第一T2谱曲线;S3:将干燥后岩心采用抽真空饱和装置使用蒸馏水进行饱和,并对饱和后岩心再次进行核磁共振T2谱测试,获取饱和蒸馏水后岩心核磁共振第二T2谱曲线;S4:将第一T2谱曲线和第二T2谱曲线,采用差值法,获取低成熟度烃源岩初始孔隙分布的核磁共振第三T2谱曲线;S5:将S3中的饱和蒸馏水岩心置于80℃的烘箱中烘干48h,采用实验室标准筛分法制作60-80目的颗粒煤样,将制作好的颗粒煤样置于低温氮气吸附实验脱气站中开展室温条件下的脱气处理,脱气处理时间2h,随后对脱气处理后样品开展低温氮气吸附测试,获取低温氮气吸附脱附测试曲线以及孔径表征曲线;S6:取出一块80℃的烘箱中烘干48h后的标准岩心,置于马弗炉中,设置马弗炉加热温度为90℃,在马弗炉中加热48h,并对加热后标准岩心开展加热后饱和蒸馏水后核磁共振T2谱测试,获取核磁共振第四T2谱曲线,并将第四T2谱曲线与第一T2谱曲线进行差值计算获取90℃下低成熟度烃源岩孔隙分布的核磁共振第五T2谱曲线,将第五T2谱曲线和第三T2谱曲线进行差值计算;S7:对S6获取的马弗炉加热温度为90℃下的饱和蒸馏水岩心,采用S5相同的样品处理方法,获取马弗炉加热温度为90℃下的低温氮气吸附脱附测试曲线以及孔径表征曲线;S8:将S2获取的干燥岩心置于马弗炉中,分别采用不同的加热温度,在马弗炉中加热48h,并对加热后标准岩心开展加热后饱和蒸馏水后核磁共振T2谱测试,并将获取的不同加热温度下核磁共振曲线与第一T2谱曲线进行差值计算,并将差值后获取的核磁共振曲线和第三T2谱曲线进行差值计算,以差值法获取的最小差异性变化所对应的加热温度作为基于核磁共振技术评价下烃源岩最佳脱气温度;S9:对S8获取的不同加热温度下标准岩心,采用S5相同的样品处理方法,获取不同马弗炉加热温度下的低温氮气吸附脱附测试曲线以及孔径表征曲线;S10:将不同加热温度下获取的低温氮气吸附脱附曲线和孔径表征曲线与80℃下低温氮气吸附脱附测试曲线以及孔径表征曲线进行差值法处理,以差值法获取的最小差异性变化所对应的加热温度作为低温氮气吸附技术评价下烃源岩最佳脱气温度;S11:综合上述步骤,将基于核磁共振技术评价以及低温氮气吸附技术评价下均表现为最小差异性变化所对应的加热温度作为低成熟度烃源岩最佳脱气温度;S4中的差值计算公式如下: T 280p =T 2sat-T280d(1)式中,T2sat为马弗炉加热温度80℃核磁共振横向弛豫时间下饱和蒸馏水样品的振幅强度;T280d为马弗炉加热温度80℃核磁共振横向弛豫时间下干燥样品的振幅强度;T280p为马弗炉加热温度80℃核磁共振横向弛豫时间下样品孔隙分布的振幅强度;S8和S10中以差值法获取的最小差异性变化所对应的加热温度作为烃源岩最佳脱气温度,计算公式如下: D vi =100*Pvi-Pv80Pv80(2)式中,Dvi为不同马弗炉加热温度下核磁共振孔隙表征参数差异性或不同马弗炉加热温度下低温氮气吸附孔隙表征参数差异性;Pvi为不同马弗炉加热温度i下核磁共振孔隙表征参数差异性或不同马弗炉加热温度i下低温氮气吸附孔隙表征参数;Pv80为马弗炉加热温度80℃下核磁共振孔隙表征参数差异性或马弗炉加热温度80℃下低温氮气吸附孔隙表征参数。

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