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【发明授权】基于涡流的非接触式金属晶粒精准调控系统_重庆大学_202111568180.X 

申请/专利权人:重庆大学

申请日:2021-12-21

公开(公告)日:2024-06-21

公开(公告)号:CN116356234B

主分类号:C22F3/00

分类号:C22F3/00

优先权:

专利状态码:有效-授权

法律状态:2024.06.21#授权;2023.07.18#实质审查的生效;2023.06.30#公开

摘要:本发明提出了一种基于涡流的非接触式金属晶粒精准调控系统,包括脉冲发生器和待处理板件;脉冲发生器包括储能模块、放电模块和脉冲线圈;放电模块的放电输入第一端与储能模块的储能输出第一端相连,放电模块的放电输入第二端与储能模块的储能输出第二端相连,脉冲线圈串联与放电模块回路中,待处理板件置于脉冲线圈附近;储能模块能够存储不同电压规格的能量;调节放电模块的参数,通过流过脉冲线圈的脉冲电流对待处理板件进行处理。本发明能够在相同能量下,通过电流波形可达到提高幅值的效果,使诱导高电导金属晶粒细化效果更好。

主权项:1.一种基于涡流的非接触式金属晶粒精准调控系统,其特征在于,包括脉冲发生器和待处理板件;脉冲发生器包括储能模块、放电模块和脉冲线圈;通过脉冲发生器产生脉冲电流,并采用感应涡流方式对待处理板件施加脉冲电流;所述脉冲电流中的脉冲为:欠阻尼单个脉冲或过阻尼单个脉冲或多个脉冲;所述欠阻尼单个脉冲为一个正弦衰减的电流波形,所述电流波形上下震荡,幅值逐级递减,第一个的波峰幅值最高;欠阻尼单个脉冲的脉冲幅值为10kA~200kA,脉冲频率为3000Hz~50000Hz;所述过阻尼单个脉冲为只有一个波峰的正弦波,呈现为中间高,两端逐渐下降且完全对称的钟形曲线;过阻尼单个脉冲的脉冲幅值为10kA~200kA,脉冲频率为3000Hz~50000Hz;所述多个脉冲为多个波形相同的单个脉冲,单个脉冲的上升时间和下降时间相同;脉冲幅值为2kA~40kA,脉冲频率为3000Hz~50000Hz,且在1秒内的个数为5~15个;放电模块的放电输入第一端与储能模块的储能输出第一端相连,放电模块的放电输入第二端与储能模块的储能输出第二端相连,脉冲线圈串联于放电模块回路中,待处理板件置于脉冲线圈附近;储能模块能够存储不同电压规格的能量;调节放电模块的参数,通过流过脉冲线圈的脉冲电流对待处理板件进行处理。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 重庆大学 基于涡流的非接触式金属晶粒精准调控系统

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