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【实用新型】一种改善硅片沉积氧化膜过程正面损伤的载盘_郑州合晶硅材料有限公司_202323111233.2 

申请/专利权人:郑州合晶硅材料有限公司

申请日:2023-11-17

公开(公告)日:2024-06-21

公开(公告)号:CN221192325U

主分类号:C23C16/458

分类号:C23C16/458

优先权:

专利状态码:有效-授权

法律状态:2024.06.21#授权

摘要:本实用新型公开了一种改善硅片沉积氧化膜过程正面损伤的载盘,包括载盘本体,所述载盘本体的顶部设有用于放置硅片的凹槽,所述凹槽的底面为凹陷曲面,用于使所述硅片放置于所述凹槽内时,仅所述硅片的边缘与所述凹槽接触,所述硅片底部的中间区域为悬空状态;所述凹槽的底面上还设有贯穿所述载盘底部的定位孔。本申请设置的载盘,通过对凹槽结构的优化,可降低氧化膜沉积过程中载盘对硅片的正面损伤,同时采用无涂层设计,可避免载盘发生涂层脱落造成硅片压伤。另外采用石英导热板,可提高氧化膜沉积厚度的均匀性,进一步提高硅片品质。

主权项:1.一种改善硅片沉积氧化膜过程正面损伤的载盘,包括载盘本体,其特征在于,所述载盘本体的顶部设有用于放置硅片的凹槽,所述凹槽的底面为凹陷曲面,用于使所述硅片放置于所述凹槽内时,仅所述硅片的边缘与所述凹槽接触,所述硅片底部的中间区域为悬空状态;所述凹槽的底面上还设有贯穿所述载盘底部的定位孔。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 郑州合晶硅材料有限公司 一种改善硅片沉积氧化膜过程正面损伤的载盘

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