申请/专利权人：信越半导体株式会社

申请日：2022-10-12

公开（公告）日：2024-06-21

公开（公告）号：CN118235236A

主分类号：H01L21/66

分类号：H01L21/66;G01B11/06;G01J4/04;H01L21/304;H01L21/316

优先权：["20211108 JP 2021-182075"]

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.06.21#公开

摘要：本发明涉及氧化膜的评价方法，其是利用AFM测得的表面粗糙度Sa值为0.5nm以下的硅基板上的氧化膜的评价方法，其包括：准备形成有氧化膜的被评价基板与基板表面的在空间频率为60～90μm时的功率谱密度的平均值为0.1nm3以下的基准基板的工序；测定被评价硅基板上的氧化膜的膜厚的第一膜厚测定工序；去除被评价硅基板及基准硅基板上的氧化膜的工序；在去除了氧化膜的被评价硅基板及基准硅基板上，在同一条件下形成氧化膜的工序；测定被评价硅基板及基准硅基板上的氧化膜的膜厚的第二膜厚测定工序；根据在第二膜厚测定工序中获得的被评价硅基板及基准硅基板上的氧化膜的膜厚，对在第一膜厚测定工序中获得的被评价硅基板上的氧化膜中的由膜厚影响因素造成的膜厚进行评价的工序。由此，可提供一种可高精度地评价由膜厚影响因素造成的氧化膜的膜厚的氧化膜的膜厚评价方法。

主权项：1.一种氧化膜的膜厚评价方法，其是利用原子力显微镜测得的表面粗糙度的Sa值为0.5nm以下的硅基板上的氧化膜的评价方法，其特征在于，所述氧化膜的评价方法包括：基板准备工序，其中，准备被评价硅基板与基准硅基板，所述被评价硅基板形成有待进行评价的氧化膜，所述基准硅基板的基板表面的在空间频率为60～90μm时的功率谱密度的平均值为0.1nm3以下；第一膜厚测定工序，其中，利用椭偏仪测定所述被评价硅基板上的氧化膜的膜厚；氧化膜去除工序，其中，将所述被评价硅基板及所述基准硅基板上的氧化膜完全去除；氧化膜形成工序，其中，在去除了所述氧化膜后的所述被评价硅基板及所述基准硅基板上，在同一条件下形成氧化膜；第二膜厚测定工序，其中，利用椭偏仪测定所述氧化膜形成工序后的所述被评价硅基板上的氧化膜及所述基准硅基板上的氧化膜的膜厚；及膜厚评价工序，其中，根据在所述第二膜厚测定工序中获得的所述被评价硅基板上的氧化膜的膜厚及所述基准硅基板上的氧化膜的膜厚，对在所述第一膜厚测定工序中获得的所述被评价硅基板上的所述氧化膜的整个膜厚中的由膜厚影响因素造成的膜厚进行评价。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 信越半导体株式会社 氧化膜的膜厚评价方法及带有氧化膜的硅基板的制造方法

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