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申请/专利权人：礼鼎半导体科技秦皇岛有限公司;礼鼎半导体科技(深圳)有限公司
申请日：2023-05-15
公开（公告）日：2024-06-25
公开（公告）号：CN118250924A
主分类号：H05K3/28
分类号：H05K3/28
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.25#公开
摘要：本申请提出一种防焊层的制备方法，压膜后，第一次曝光仅曝光锡坝DAM区域即第一部分，然后减薄未曝光的区域第二部分，再对减薄后的第二部分进行第二次曝光，再显影、固化，形成所需要的防焊层。本申请的制备方法中，锡坝DAM，即第一防焊层由二次干膜叠加变更为一次干膜成型，DAM与邻近的第二防焊层为一整体，因此DAM不易脱落，还可以做更细更窄的DAM。另外，本申请的制备方法只进行一次显影，有利于减小咬边undercut。压膜时干膜的厚度较厚，能改善压膜气泡、露铜等问题。本申请的制备方法生产流程短，节省了干膜的使用次数。
主权项：1.一种防焊层的制备方法，所述防焊层设置于印刷电路板的表面，其特征在于，所述制备方法包括如下步骤：在所述印刷电路板的表面压合干膜；对所述干膜进行曝光，曝光后的干膜包括曝光后的第一部分和未被曝光的第二部分；减薄所述第二部分；对减薄后的所述第二部分进行曝光，以形成曝光后的第三部分和未被曝光的第四部分；用显影药水去除所述第四部分；固化所述第一部分和所述第三部分，形成所述防焊层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 礼鼎半导体科技秦皇岛有限公司;礼鼎半导体科技(深圳)有限公司 防焊层的制备方法
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