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申请/专利权人：华中科技大学
申请日：2024-04-22
公开（公告）日：2024-06-25
公开（公告）号：CN118244590A
主分类号：G03F7/20
分类号：G03F7/20
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.25#公开
摘要：本申请属于光刻仿真技术领域，具体公开了一种基于光束传播法的极紫外光刻仿真方法及系统。通过本申请，通过光束传播方法计算极紫外掩模的近场分布，由于光束传播方法不需要进行迭代求解，而且傅里叶变换的引入允许横向上较大的离散网格，极大地缩短计算时间并节省计算资源，结合矢量成像模型，从而实现全芯片级别的部分相干成像极紫外光刻仿真。
主权项：1.一种基于光束传播法的极紫外光刻仿真方法，其特征在于，所述极紫外光刻包括照明系统、光刻掩模、投影系统和晶圆系统，所述照明系统包括照明光瞳，所述光刻掩模由吸收层和多层膜构成，所述晶圆系统包括晶圆，该仿真方法包括：S1.计算当前点光源的入射场，所述当前点光源为照明光瞳的一个光源点；S2.利用光束传播法，计算入射场照明下的吸收层的第一衍射场；S3.计算第一衍射场经由多层膜反射后的反射场；S4.利用光束传播法，计算反射场照明下的吸收层的第二衍射场；S5.以第二衍射场作为输入，计算晶圆近场的x,y,z分量，计算晶圆电场各个分量电场强度并叠加，得到当前点光源的空间像；S6.加权累加照明光瞳中各点光源的空间像，得到部分相干照明下的空间像。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 华中科技大学 一种基于光束传播法的极紫外光刻仿真方法及系统
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