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申请/专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日：2024-03-08
公开（公告）日：2024-06-25
公开（公告）号：CN118248576A
主分类号：H01L21/66
分类号：H01L21/66;G01R27/26
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.25#公开
摘要：本发明提供一种寄生电容测试结构及寄生电容提取方法，所述寄生电容测试结构用于对目标测试器件进行测试，其包括：衬底、第一阱区、第二阱区、测试焊盘及互连线，所述第一阱区及所述第二阱区相邻设置，并形成于所述衬底的表层，且所述第一阱区与所述第二阱区内的掺杂离子类型不同；所述测试焊盘形成于所述衬底上方，包括第一测试焊盘及第二测试焊盘；所述第一测试焊盘通过所述互连线与目标测试器件连接，第二测试焊盘通过所述互连线与所述第二阱区连接。通过本发明解决了现有的需要增加额外测试结构进行测试及寄生电容提取不准的问题。
主权项：1.一种寄生电容测试结构，其特征在于，所述寄生电容测试结构用于对目标测试器件进行测试，其包括：衬底、第一阱区、第二阱区、测试焊盘及互连线，所述第一阱区及所述第二阱区相邻设置，并形成于所述衬底的表层，且所述第一阱区与所述第二阱区内的掺杂离子类型不同；所述测试焊盘形成于所述衬底上方，包括第一测试焊盘及第二测试焊盘；所述第一测试焊盘通过所述互连线与目标测试器件连接，所述第二测试焊盘通过所述互连线与所述第二阱区连接。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海华力集成电路制造有限公司 寄生电容测试结构及寄生电容提取方法
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