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申请/专利权人：深圳华大九天科技有限公司
申请日：2023-03-02
公开（公告）日：2024-06-21
公开（公告）号：CN116187269B
主分类号：G06F30/398
分类号：G06F30/398
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.21#授权;2023.06.16#实质审查的生效;2023.05.30#公开
摘要：本发明公开了一种多导体系统的寄生电容参数提取方法，其特征在于，包括：基于集成电路版图数据构建集成电路的二维几何结构的物理模型，所述二维几何结构的物理模型包括多个导体及多个介质；计算所述二维几何结构的物理模型内任一点的电压及电荷的数值模拟图；基于所述电压及电荷的数值模拟图确定待候选合并的多个介质；判断待候选合并的多个介质是否满足如下条件：d_iK*H1其中，d_i为所述二维几何结构的物理模型中第i个介质的厚度，H为导体的厚度，K为预设的比例系数，maxh_i,h_i+1minh_i,h_i+182其中，h_i为所述导体到第i个介质的距离，h_i+1为所述导体到第i+1个介质的距离，若判断为所述介质i和介质i+1满足上述条件1、2，则将所述介质i和介质i+1合并为一个介质；以、以及基于合并后的介质求解所述集成电路的二维几何结构的物理模型中的各导体的寄生电容参数。
主权项：1.一种多导体系统的寄生电容参数提取方法，其特征在于，包括：基于集成电路版图数据构建集成电路的二维几何结构的物理模型，所述二维几何结构的物理模型包括多个导体及多个介质；计算所述二维几何结构的物理模型内任一点的电压及电荷的数值模拟图；基于所述电压及电荷的数值模拟图确定待候选合并的多个介质；判断待候选合并的多个介质是否满足如下条件：1d_iK*H其中，d_i为所述二维几何结构的物理模型中第i个介质的厚度，H为导体的厚度，K为预设的比例系数，2maxh_i,h_i+1minh_i,h_i+18其中，h_i为所述导体到第i个介质的距离，h_i+1为所述导体到第i+1个介质的距离，若判断为所述介质i和介质i+1满足上述条件1、2，则将所述介质i和介质i+1合并为一个介质；以及基于合并后的介质求解所述集成电路的二维几何结构的物理模型中的各导体的寄生电容参数。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 深圳华大九天科技有限公司 一种多导体系统的寄生电容参数提取方法、装置及存储介质
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