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申请/专利权人：上海澜芯半导体有限公司
摘要：本发明公开了一种MOSFET器件及工艺方法，基于SiC衬底或外延层；在所述外延层中划分终端区、过渡区以及有源区，形成相应的器件及结构；场氧化工艺后，在所述的终端区以及部分过渡区的外延表面形成第一场氧层；然后进行第二场氧层的形成工艺，形成第二场氧层，然后在掩膜版的定义下对所述第二场氧层进行一次刻蚀，使第一场氧层未覆盖的表面区域进行覆盖，包括所述的半导体衬底的部分过渡区的表面以及有源区的表面；继续完成有源区的器件相关工艺，形成器件。本发明在器件有源区及过渡区引入第二场氧层，使这部分的外延表面具有更厚的绝缘介质层，降低器件电容CissCossCrss，提高器件的开关速度，降低器件EonEoff损耗，同时还能提高器件的可靠性。第二场氧层的材质及工艺方法也具有多种选择，提高工艺的兼容性。
主权项：1.一种MOSFET器件的工艺方法，其特征在于：包含：提供一半导体衬底，所述半导体衬底包括第一表面以及与所述第一表面相对的第二表面；所述半导体衬底的第一表面上形成一层外延缓冲层，然后进行外延工艺生长形成一层外延层；在所述外延层中划分终端区、过渡区以及有源区，形成相应的器件及结构；场氧化工艺后，在所述的终端区以及部分过渡区的外延表面形成第一场氧层；然后进行第二场氧层的形成工艺，形成第二场氧层，然后在掩膜版的定义下对所述第二场氧层进行一次刻蚀，使第一场氧层未覆盖的表面区域进行覆盖，包括所述的半导体衬底的部分过渡区的表面以及有源区的表面；继续完成有源区的器件相关工艺，形成器件。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海澜芯半导体有限公司 MOSFET器件及工艺方法
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