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半导体器件 

申请/专利权人:爱思开海力士有限公司

申请日:2023-10-30

公开(公告)日:2024-06-25

公开(公告)号:CN118250993A

主分类号:H10B12/00

分类号:H10B12/00;H01L23/528

优先权:["20221222 KR 10-2022-0181553"]

专利状态码:在审-公开

法律状态:2024.06.25#公开

摘要:一种半导体器件,包括:成对的字线分离缝;字线堆叠,其被设置在成对的字线分离缝之间并且包括垂直地堆叠的多个字线;多个支撑件,其被设置在字线分离缝之间并且支撑字线堆叠;以及接触插塞,其与字线堆叠电连接。

主权项:1.一种半导体器件,包括:成对的字线分离缝;字线堆叠,其被设置在所述成对的字线分离缝之间并且包括垂直地堆叠的多个字线;多个支撑件,其被设置在所述字线分离缝之间并且支撑所述字线堆叠;以及接触插塞,其与所述字线堆叠电连接。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 爱思开海力士有限公司 半导体器件

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