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申请/专利权人：四川和晟达电子科技有限公司;江苏和达电子科技有限公司
摘要：本发明公开了一种应用于MTD和MoNb的蚀刻液，制备原料以重量百分比计包括氧化剂10‑25％，螯合剂1‑5％，抑制剂0.01‑2％，蚀刻剂0.01‑5％，双氧水稳定剂0.05‑3％，含氮类添加剂0.001‑2％，氟系化合物0.001‑1％，去离子水补充至100％。本发明在蚀刻液中引入含氮类添加剂和氟系化合物，采用1：0.5‑0.7的重量比，可以使蚀刻液对Cu、MTD合金双层膜和Cu、MoNb合金双层膜均可以达到优异的蚀刻效果，既避免MTD层产生倒角，又避免了MoNb层的残留。提高了蚀刻效率，降低了蚀刻成本，同时保证了优异的蚀刻效果。
主权项：1.一种应用于MTD和MoNb的蚀刻液，其特征在于，制备原料以重量百分比计包括氧化剂10-25％，螯合剂1-5％，抑制剂0.01-2％，蚀刻剂0.01-5％，双氧水稳定剂0.05-3％，含氮类添加剂0.001-2％，氟系化合物0.001-1％，去离子水补充至100％。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 四川和晟达电子科技有限公司 江苏和达电子科技有限公司 一种应用于MTD和MoNb的蚀刻液及其制备方法
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