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申请/专利权人：西安交通大学
申请日：2024-03-29
公开（公告）日：2024-06-25
公开（公告）号：CN118243746A
主分类号：G01N27/12
分类号：G01N27/12;C09D165/00;C09D5/24
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.25#公开
摘要：一种基于P3HT‑MoS2@CNT的室温氨气传感器及其制备方法，包括单晶硅衬底，单晶硅衬底的两面设有二氧化硅层，一侧的二氧化硅层上设有金叉指电极，二氧化硅层及金叉指电极表面设有气体敏感材料薄膜，气体敏感材料薄膜由P3HT‑MoS2@CNT复合材料构成；单晶硅衬底、二氧化硅层以及金叉指电极共同构成传感器芯片；气体敏感材料薄膜接触待测气体即氨气前后电阻会发生变化，通过测量金叉指电极间电阻的变化获得传感器响应值的相关性能；本发明传感器具有检测限低、响应高，并且能显著降低基线漂移情况，提高气体传感器的响应恢复能力和速度，传感器制备方法简单便捷。
主权项：1.一种基于P3HT-MoS2@CNT的室温氨气传感器，包括单晶硅衬底1，单晶硅衬底1的两面设有二氧化硅层2，一侧的二氧化硅层2上设有金叉指电极3，二氧化硅层2及金叉指电极3表面设有气体敏感材料薄膜4，其特征在于：气体敏感材料薄膜4由P3HT-MoS2@CNT复合材料构成；单晶硅衬底1、二氧化硅层2以及金叉指电极3共同构成传感器芯片；气体敏感材料薄膜4接触待测气体即氨气前后电阻会发生变化，通过测量金叉指电极间电阻的变化获得传感器响应值的相关性能。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 西安交通大学 基于P3HT-MoS2@CNT的室温氨气传感器及其制备方法
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