申请/专利权人:山东科技大学
申请日:2024-05-30
公开(公告)日:2024-06-25
公开(公告)号:CN118251120A
主分类号:H10N70/20
分类号:H10N70/20;H10N70/00
优先权:
专利状态码:在审-公开
法律状态:2024.06.25#公开
摘要:本发明提供了一种双阻变层局部有源忆阻器及其制备方法,涉及微电子材料与半导体器件,忆阻器包括:由下而上依次设置的衬底、底电极、忆阻功能层和顶电极;忆阻功能层采用多层纳米薄膜制成,忆阻功能层包括第一功能层和第二功能层,第二功能层位于第一功能层之上,第一功能层采用Zr掺杂的ZrO2薄膜制成,第二功能层的采用VO2薄膜制成。本发明的技术方案克服现有技术中缺乏实物局部有源忆阻器的问题。
主权项:1.一种双阻变层局部有源忆阻器,其特征在于,包括:由下而上依次设置的衬底、底电极、忆阻功能层和顶电极;所述忆阻功能层采用多层纳米薄膜制成,所述忆阻功能层包括第一功能层和第二功能层,所述第二功能层位于所述第一功能层之上,所述第一功能层采用Zr掺杂的ZrO2薄膜制成,第二功能层的采用VO2薄膜制成。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 山东科技大学 一种双阻变层局部有源忆阻器及其制备方法
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