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申请/专利权人：黑龙江大学
申请日：2023-08-29
公开（公告）日：2024-06-25
公开（公告）号：CN221228166U
主分类号：H10B63/00
分类号：H10B63/00;H10N70/20;H10N70/00;G11C13/00
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.25#授权
摘要：本实用新型公开了一种忆阻器，包括衬底和设置在衬底上方的阻变单元，所述阻变单元包括由下至上依次设置的底电极、第二阻变层、中间电极层、第一阻变层和顶电极。本实用新型公开的忆阻器及实现二值布尔逻辑方法，制备方法操作简单，成本低廉，易于实现小型化和集成化，操作简单，步骤简洁，可以实现所有的16种二值布尔逻辑功能。
主权项：1.一种忆阻器，其特征在于，包括衬底1和设置在衬底1上方的阻变单元，所述阻变单元2包括由下至上依次设置的底电极21、第二阻变层22、中间电极层23、第一阻变层24和顶电极25；其中顶电极25、第一阻变层24、中间电极层23构成了上端双极型阻变存储器BRS1；中间电极层23、第二阻变层22、底电极21构成了下端双极型阻变存储器BRS2；所述底电极21部分外漏，在其上设置有信号接入线T1；所述顶电极25上设置有信号接入线T2；在衬底1上设置有多个阻变单元2，多个阻变单元2共用底电极21、第二阻变层22、中间电极层23和第一阻变层24；多个阻变单元2排成行列，形成交叉阵列结构，每个阻变单元2的信号接入线T1设置在位线，信号接入线T2设置在字线，该位线与字线悬空，不与其它阻变单元2连接。
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