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申请/专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日：2019-12-03
公开（公告）日：2024-06-25
公开（公告）号：CN112909189B
主分类号：H10K50/11
分类号：H10K50/11;H10K71/16;H10K71/40;C01G39/00;C01G41/00
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.25#授权;2021.06.22#实质审查的生效;2021.06.04#公开
摘要：本发明公开了一种高功函数可调的三元过渡金属氮化物、其制备方法及应用。所述三元过渡金属氮化物为MoxM1‑xN，其中M包括Ti、Hf、Zr、W中的任意一种，0.7≤x≤1。本发明的三元过渡金属氮化物功函数可控，利用其制成的膜具有高功函数、高反射率以及高导电性等优点，可应用于制备顶发射型OLED器件、SiPEDOT:PSS杂化太阳能电池、高功函数p型有机半导体或无机半导体等领域。
主权项：1.一种高功函数可调的三元过渡金属氮化物，其特征在于，所述三元过渡金属氮化物为MoxM1-xN，其中M包括Ti、Hf、Zr、W中的任意一种，0.7≤x≤1，所述三元过渡金属氮化物的功函数≥5.0eV。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 高功函数可调的三元过渡金属氮化物、其制备方法及应用
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