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申请/专利权人：电子科技大学
申请日：2024-03-30
公开（公告）日：2024-06-28
公开（公告）号：CN118263128A
主分类号：H01L21/336
分类号：H01L21/336;H01L21/027;H01L21/768
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.28#公开
摘要：本发明属于半导体制造工艺技术领域，具体涉及一种优化四道板VDMOS工艺过渡区的方法。本发明是在申请号为202110596980.6的中国专利的基础上进行优化，主要区别为：一是有源区光刻中场氧刻蚀时，不再形成GateBus结构所需的场氧区域；二是多晶硅光刻步骤中，不刻蚀出GateBus多晶硅结构。本发明通过不引入GateBus区域，从而避免P‑well在此区域下方的断开。避免带来耐压的不稳定性。消除器件潜在击穿电压下降的可能，提高了器件的可靠性。保证了器件性能无明显退化。
主权项：1.一种优化四道板VDMOS工艺过渡区的方法，采用四道板工艺制作VDMOS，其特征在于，在进行有源区光刻时，通过修改所使用的光刻掩膜版，在原有有源区光刻的基础上，再刻蚀掉结两侧主结上方的全部场氧化层；同理，在进行多晶硅光刻时，使用对应的修改的掩膜版，在原有多晶硅光刻的基础上，刻蚀掉主结上方的全部多晶硅层，从而在优化的四道板VDMOS工艺中，在过渡区并未形成GateBus结构，最终得到了连续的而非分离的主结；与栅极通过GateBus连接栅金属的方式不同的是，优化的四道板VDMOS工艺中，制作环绕有源区的栅金属，在多晶硅栅条末端的上方刻蚀接触孔，通过栅金属填充接触孔实现与栅金属的连接。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 电子科技大学 一种优化四道板VDMOS工艺过渡区的方法
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