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申请/专利权人：洛阳鸿泰半导体有限公司
申请日：2024-04-23
公开（公告）日：2024-05-28
公开（公告）号：CN118099198A
主分类号：H01L29/732
分类号：H01L29/732;H01L29/78;H01L29/06;H01L29/08;H01L21/331;H01L21/336
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.06.14#实质审查的生效;2024.05.28#公开
摘要：本发明涉及功率半导体器件技术领域，并具体公开了一种适用于BJT和VDMOS芯片制造的三维半导体衬底晶圆和方法。由半导体衬底晶圆、凹槽结构、N+导通层与场基层和SiO2保护层构成，在半导体衬底晶圆背面设有凹槽结构、N+导通层与场基层和SiO2保护层；凹槽结构由多个阵列分布深入半导体晶圆内部的凹槽组成；N+导通层与场基层位于半导体晶圆背面；SiO2保护层在N+导通层与场基层表面。本发明在衬底材料制造阶段通过在硅片背面形成三维的槽结构，达到了降低衬底材料生产能耗、缩短BJT和VDMOS芯片制造流程、降低生产成本、提高衬底材料电性，进而提高BJT和VDMOS芯片性能的目的。
主权项：1.一种适用于BJT和VDMOS器件制造的三维半导体衬底晶圆，其特征在于：包括N-半导体衬底晶圆、凹槽结构、N+导通层与场基层和SiO2保护层，在所述N-半导体衬底晶圆背面设有凹槽结构、N+导通层与场基层和SiO2保护层；所述凹槽结构由多个阵列分布深入半导体晶圆内部的掺杂体组成；N+导通层与场基层位于N-半导体衬底晶圆背面；SiO2保护层在N+导通层与场基层表面。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 洛阳鸿泰半导体有限公司 一种适用于BJT和VDMOS芯片制造的三维半导体衬底晶圆和方法
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