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申请/专利权人：中电晶华(天津)半导体材料有限公司
申请日：2024-05-07
公开（公告）日：2024-06-04
公开（公告）号：CN118127623A
主分类号：C30B25/18
分类号：C30B25/18;C30B25/16;C30B28/14;C30B29/06;H01L21/02;H01L29/16;H01L29/78;H01L21/67
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.06.21#实质审查的生效;2024.06.04#公开
摘要：本发明提供了一种VDMOS器件用重掺衬底N型硅外延片及其制备方法和应用，本发明设计250~300Lmin的大流量载气氢气吹扫反应腔体、1040~1060℃的较低硅外延层生长温度、2.1~2.2μmmin的高速生长厚层高阻硅外延层的方法，在大幅缩减热生长时间的同时，对反应腔体、石墨基座、硅衬底片等各类自掺杂效应现象进行充分抑制，从而实现在厚层高阻硅外延层生长过程中对电阻率均匀性的控制。
主权项：1.一种VDMOS器件用重掺衬底N型硅外延片的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：（1）将硅外延炉的反应腔体的石墨基座片坑内的温场进行梯度设置；（2）将硅外延炉的反应腔体升温后，通入氯化氢气体对反应腔体及石墨基座进行刻蚀；（3）反应腔体降温后，通入载气氢气携带三氯氢硅作为生长硅源，使反应腔体的石墨基座上生长多晶硅包覆层；（4）反应腔体降温后，将重掺硅衬底片装在反应腔体的石墨基座的片坑内；（5）向反应腔体通入的载气氢气后进行梯度升温；（6）先将载气氢气的流量升高至250~300Lmin，保持3~5min，随后载气氢气的流量降低至200~220Lmin，保持1~3min，对反应腔体进行吹扫；（7）将反应腔体降温至1040~1060℃，通入载气氢气携带三氯氢硅作为生长硅源，在重掺硅衬底片的抛光表面上进行未掺杂硅外延层的生长；（8）反应腔体通入稀释氢气携带的磷烷掺杂剂，在未掺杂硅外延层的表面直接进行厚层高阻硅外延层的生长，形成硅外延片；（9）待硅外延片温度降低至300℃后从石墨基座片坑内取出。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中电晶华(天津)半导体材料有限公司 一种VDMOS器件用重掺衬底N型硅外延片及其制备方法和应用
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