龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
申请/专利权人：中国科学院新疆理化技术研究所
申请日：2024-03-12
公开（公告）日：2024-06-25
公开（公告）号：CN118244076A
主分类号：G01R31/26
分类号：G01R31/26
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.25#公开
摘要：本发明提供一种同批次商用VDMOS器件的总剂量辐射效应预估方法，主要解决现有的预估方法可能高估器件的抗辐射能力，而导致同批次内器件存在应用风险的技术问题。该方法包括以下步骤：准备样品；辐照前参数测试；挑选试验样品；总剂量辐照试验；辐照后参数测试；获取同批次器件辐照后的最大跨导值，进而预估同批次器件的总剂量辐射损伤程度。该方法的优势在于仅开展少量试验，即可预估总剂量辐照后同一批次大量器件的参数变化。
主权项：1.一种同批次商用VDMOS器件的总剂量辐射效应预估方法，其特征在于，包括下列步骤：【1】预先准备同一批次的多个商用VDMOS器件，并从每个器件的栅端引出一个电极，用于赋予栅电压，从漏端引出一个电极，用于赋予漏电压；【2】通过半导体参数测试设备，在预设栅电压、漏电压下对步骤【1】中每个器件进行辐照前的参数测试，分别得到每个器件辐照前的转移特性曲线，进而获取每个器件辐照前的最大跨导值；【3】将步骤【2】得到的最大跨导值进行比较，选择最大跨导值最大的器件作为试验样品，选择最大跨导值最小的器件作为预估样品；【4】对步骤【3】选择的试验样品在预设辐照总剂量下进行总剂量辐照试验；【5】通过半导体参数测试设备，在预设栅电压、漏电压下对经总剂量辐照试验的试验样品进行参数测试，得到试验样品辐照后的转移特性曲线，进而获取该试验样品辐照后的最大跨导值；【6】计算得到试验样品在辐照前、辐照后的最大跨导值变化量，并用预估样品的最大跨导值减去试验样品的最大跨导值变化量，即可得到预估样品在辐照后的最大跨导值，获得预估的该批次VDMOS器件在辐照后的最大跨导值，实现对同批次商用VDMOS器件抗辐射能力的预估。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国科学院新疆理化技术研究所 一种同批次商用VDMOS器件的总剂量辐射效应预估方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号