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申请/专利权人：华润微电子(重庆)有限公司
申请日：2022-11-21
公开（公告）日：2024-05-28
公开（公告）号：CN118099194A
主分类号：H01L29/10
分类号：H01L29/10;H01L29/78;H01L21/336
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.06.14#实质审查的生效;2024.05.28#公开
摘要：本发明提供一种耗尽型VDMOS器件及其制作方法，包括：提供一半导体衬底，所述半导体衬底上形成有漂移区；于所述漂移区上形成栅结构，所述栅结构设置成分别与相邻两所述阱区交叠，所述栅结构包括位于所述漂移区表面的栅介质层和所述栅电极层；以注入掩模图形限定的窗口执行离子注入，于所述阱区内形成源区；覆盖所述栅结构、所述源区和所述阱区形成介质隔离层；于所述介质隔离层上形成氮化硅层；所述介质隔离层中引入正电荷后，所述氮化硅层导致所述阱区邻近的栅结构表面感应产生电荷，进而形成初始沟道。本发明通过在位于氮化硅层下的介质隔离层引入正电荷，确保沟道处于常开状态，同时使制作工艺简化，大幅降低了工艺流片成本。
主权项：1.一种耗尽型VDMOS器件的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一半导体衬底，所述半导体衬底上形成有第一掺杂类型的漂移区，所述漂移区的表面形成有阱区以及位于相邻两阱区之间的JFET区；于所述漂移区上形成栅结构，所述栅结构设置成分别与相邻两所述阱区交叠，所述栅结构包括依次形成于所述漂移区表面的栅介质层和栅电极层；于所述漂移区的表面形成注入掩模图形，以注入掩模图形限定的窗口向所述阱区内执行离子注入，形成源区；覆盖所述栅结构、所述源区和所述阱区形成介质隔离层；于所述介质隔离层上形成氮化硅层；所述介质隔离层中引入正电荷后，所述氮化硅层导致所述阱区邻近的栅结构表面感应产生电荷，进而形成初始沟道。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 华润微电子(重庆)有限公司 耗尽型VDMOS器件及其制作方法
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