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申请/专利权人：陕西电子芯业时代科技有限公司
申请日：2023-09-11
公开（公告）日：2024-06-14
公开（公告）号：CN221150027U
主分类号：H01L29/417
分类号：H01L29/417;H01L29/78;H01L27/092
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.14#授权
摘要：本实用新型提供一种应用于BCD的VDMOS漏极上引出结构，包括：衬底；外延层，所述外延层设置于所述衬底的顶部；Pwell，所述Pwell设置于所述外延层的顶部；通孔，所述通孔开设于所述衬底的顶部；第二半导体，所述第二半导体设置于所述通孔的一侧；第一半导体，所述第一半导体设置于所述第二半导体的一侧；非掺杂层，所述非掺杂层设置于所述第一半导体的一侧。本实用新型提供的一种应用于BCD的VDMOS漏极上引出结构，通过使用VDMOS，从而实现小面积与更高的芯片耐压，虽然漏引出孔的存在增加了部分的面积，但相较而言仍可实现芯片面积的减小，并且相较于漏极下引出的方式，本方案不需要进行定制化的特殊封装，降低了功率芯片的设计复杂度和工艺难度。
主权项：1.一种应用于BCD的VDMOS漏极上引出结构，其特征在于，包括：衬底；外延层，所述外延层设置于所述衬底的顶部；Pwell，所述Pwell设置于所述外延层的顶部；通孔，所述通孔开设于所述衬底的顶部；第二半导体，所述第二半导体设置于所述通孔的一侧；第一半导体，所述第一半导体设置于所述第二半导体的一侧；非掺杂层，所述非掺杂层设置于所述第一半导体的一侧；漏极长引出接触点，所述漏极长引出接触点设置于所述通孔的顶部；器件结构区，所述器件结构区设置于所述漏极长引出接触点的一侧；终端结构，所述终端结构设置于所述漏极长引出接触点的另一侧。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 陕西电子芯业时代科技有限公司 一种应用于BCD的VDMOS漏极上引出结构
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