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申请/专利权人：电子科技大学
申请日：2022-08-15
公开（公告）日：2024-06-25
公开（公告）号：CN115498420B
主分类号：H01Q17/00
分类号：H01Q17/00;H01Q15/00;B41M1/12;B41M1/26;B41M7/00;G02F1/00;G02F1/01
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.25#授权;2023.01.03#实质审查的生效;2022.12.20#公开
摘要：一种基于钛酸锶复合材料的太赫兹吸波器与制备方法，属于光电材料与器件技术领域。所述基于钛酸锶复合材料的太赫兹吸波器包括玻璃衬底，生长于玻璃衬底之上的ITO薄膜，位于ITO薄膜之上的介质超表面结构层；其中，介质超表面结构层由钛酸锶微粒和掺有金纳米颗粒的PDMS复合得到，钛酸锶微粒均匀分散于掺有金纳米颗粒的PDMS中，金纳米颗粒、钛酸锶微粒和PDMS的质量比为0.01：132：46。本发明采用钛酸锶微粒和掺有金纳米颗粒的PDMS的复合材料印刷得到介质超表面结构层，可通过控制钛酸锶微粒的体积比来调控复合材料的介电参数，得到的钛酸锶复合材料的介电常数实部和硅相当。
主权项：1.一种基于钛酸锶复合材料的太赫兹吸波器，其特征在于，包括：玻璃衬底1；ITO薄膜2，所述ITO薄膜生长于玻璃衬底1之上；介质超表面结构层3，所述介质超表面结构层位于ITO薄膜之上；其中，所述介质超表面结构层由钛酸锶微粒和掺有金纳米颗粒的PDMS复合得到，其中钛酸锶微粒均匀分散于掺有金纳米颗粒的PDMS中，金纳米颗粒、钛酸锶微粒和PDMS的质量比为0.01：132：46；所述介质超表面结构层采用周期性排列的圆柱阵列结构，圆柱的半径为25～75μm，高度为50～100μm，相邻圆柱中心间距为200～300μm。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 电子科技大学 基于钛酸锶复合材料的太赫兹吸波器与制备方法
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