申请/专利权人：武汉大学

申请日：2022-12-01

公开（公告）日：2024-06-25

公开（公告）号：CN115985996B

主分类号：H01L31/18

分类号：H01L31/18;H10K71/00

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.06.25#授权;2023.05.05#实质审查的生效;2023.04.18#公开

摘要：本发明属于材料制备和转移技术领域，公开了一种制备和转移洁净二维原子晶体的方法。本发明采用SiO2Si基板作为衬底，利用二维晶体和该衬底的光学特性差异使得二维晶体在光学显微镜下显色，并基于二维晶体厚度不同时色彩具有差异的特性，寻找符合预设条件的二维晶体，本发明利用SiO2Si与强酸或强碱的作用得到目标晶体，利用PDMS形成无残留转移。本发明既不存在湿法的有机物残留的缺点，又不存在干法的目标二维材料定位难的局限性，可以高效地制备满足需求的材料，并使转移后的材料保持高洁净度。

主权项：1.一种制备和转移洁净二维原子晶体的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1、利用胶带对二维材料块材进行机械剥离，使所述胶带上粘附有二维晶体；将第一衬底附在所述胶带上并压紧，所述第一衬底采用SiO2Si基板，压紧时将SiO2层朝向二维晶体；步骤2、将所述第一衬底从所述胶带上剥离，得到附着有二维晶体的第一衬底；步骤3、通过光学显微镜在所述第一衬底上寻找符合预设条件的二维晶体所在区域，将该区域的二维晶体作为目标晶体；其中，所述预设条件包括二维晶体的厚度对应的目标条件；所述二维晶体和所述第一衬底的光学特性差异使得所述二维晶体在所述光学显微镜下显色，基于所述二维晶体厚度不同时色彩具有差异的特性，寻找符合预设条件的二维晶体；步骤4、将聚二甲基硅氧烷PDMS覆盖于所述目标晶体的上方，加热后得到PDMS、所述目标晶体和所述第一衬底构成的堆积单元；步骤5、将所述堆积单元浸泡于第一溶液中，所述第一溶液为强酸或强碱溶液；步骤6、所述第一衬底中的SiO2层被所述第一溶液腐蚀后，所述目标晶体与所述第一衬底中的Si层分离，所述目标晶体和PDMS构成的组合结构漂浮在所述第一溶液中；步骤7、将所述组合结构从所述第一溶液中取出，并进行清洗、干燥；步骤8、将所述组合结构固定于玻片上，所述玻片与所述组合结构中的PDMS接触，所述玻片安装在微动台上；将转移目标固定在加热板上；步骤9、通过操作所述微动台，调节所述组合结构中的所述目标晶体的水平位置；通过操作所述微动台垂直向下移动，使所述目标晶体与所述转移目标接触；步骤10、利用所述加热板对所述转移目标进行加热；操作所述微动台垂直向上移动，PDMS和所述目标晶体逐渐分离，所述目标晶体转移至所述转移目标上。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 武汉大学 一种制备和转移洁净二维原子晶体的方法

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