申请/专利权人：广州大学

申请日：2020-05-29

公开（公告）日：2024-06-25

公开（公告）号：CN111555619B

主分类号：H02M3/158

分类号：H02M3/158;H02M1/12

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.06.25#授权;2020.09.11#实质审查的生效;2020.08.18#公开

摘要：本发明公开了一种自适应脉冲序列控制的PCCMBuck变换器，包括：主电路、自适应脉冲生成电路和脉冲选择电路；其中，所述自适应脉冲生成电路包括：电压转电流电路和脉冲生成电路；所述电压转电流电路包括：第三电压比较器、第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管以及第四PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第一电阻。本发明通过上述连接方式，实现自适应脉冲宽度的控制信号，使得控制信号的脉冲宽度随着输出电压的变化而变化，从而扩大电路输出电压范围，使电路在大输出电压时保持PCCM状态。此外，该电路根据不用的输出电压改变控制信号的脉冲宽度，以减小电压纹波。

主权项：1.一种自适应脉冲序列控制的PCCMBuck变换器，其特征在于，包括：主电路、自适应脉冲生成电路和脉冲选择电路；其中，所述自适应脉冲生成电路包括：电压转电流电路和脉冲生成电路；所述电压转电流电路包括：第三电压比较器、第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管以及第四PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第一电阻；所述第三电压比较器的输出与所述第一NMOS管的栅极连接，所述第三电压比较器的正向输入端接入第一基准电压，所述第三电压比较器的反向输入端与第一NMOS管的源极以及第一电阻的一端连接，所述第一电阻的另一端接地；所述第一PMOS管和所述第二PMOS管以电流镜结构连接，所述第一PMOS管的栅极与所述第二PMOS管的栅极以及所述第一NMOS管的漏极连接；所述第二NMOS管与所述第三NMOS管以电流镜结构连接，所处第二NMOS管的栅极与所述第三NMOS管的栅极连接；所述第三PMOS管和所述第四PMOS管以电流镜结构连接，所述第三PMOS管的栅极与所述第三PMOS管的漏极、第四PMOS管的栅极、第二PMOS管的漏极、第三NMOS管的漏极连接；所述第四PMOS管的漏极连接到所述电压转电流电路的电流输出端；所述脉冲生成电路包括：第一RS触发器、第二RS触发器、第四电压比较器、第五电压比较器、第五PMOS管、第六PMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管、第二电容以及第三电容；所述第一RS触发器的R输入端、所述第二RS触发器的R输入端接入周期脉冲信号，所述第一RS触发器的S输入端与所述第四电压比较器的输出端连接，所述第二RS触发器的R输入端与所述第五电压比较器的输出端连接；所述第一RS触发器的原输出端与所述第五PMOS管的栅极以及所述第四NMOS管的栅极连接，所述第一RS触发器的非输出端连接到所述自适应脉冲生成电路的第一输出端，所述第二RS触发器的原输出端与所述第六PMOS管的栅极以及所述第五NMOS管的栅极连接，所述第二RS触发器的非输出端连接到所述自适应脉冲生成电路的第二输出端；所述第五PMOS管的源极接入所述电压转电流电路的电流输出端，所述第五PMOS管的漏极与所述第四NMOS管的漏极、所述第二电容的一端以及所述第四电压比较器的反向输入端连接，所述第四NMOS管的源极以及所述第二电容的另一端接地；所述第六PMOS管的源极与电流源连接，第六PMOS管的漏极与所述第五NMOS管的漏极、所述第三电容的一端以及所述第五电压比较器的反向输入端连接，所述第五NMOS管的源极所述第三电容的另一端接地；所述第四电压比较器以及所述第五电压比较器的正向输入端接入第二基准电压；所述主电路包括第一开关管、第二开关管、第三开关管、电感和第一电容；其中，所述第一开关管为PMOS管，所述第二开关管和所述第三开关管为NMOS管；所述第一开关管的源级接入所述主电路的第一电压输入端，所述第一开关管的漏级与所述第二开关管的漏级和所述电感的一端连接，所述第二开关管的源级接地，所述第三开关管的源级与所述第一开关管的漏级连接，所述第三开关管的漏级与所述第一电容的一端、电感的另一端连接，所述第一电容的另一端与所述第二开关管的源级连接；所述PCCMBuck变换器还包括：电流检测电路和逻辑控制电路；所述电流检测电路的输出端耦合至所述第二电压比较器的反向输入端，所述第二电压比较器的正向输入端接入代表续流值的第三基准电压，所述第二电压比较器的输出端耦合至所述逻辑控制电路的第二输入端；所述逻辑控制电路的输出端耦合至所述第二开关管和所述第三开关管。

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百度查询： 广州大学 自适应脉冲序列控制的PCCM Buck变换器

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