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申请/专利权人：华为技术有限公司
摘要：一种磁隧道结的制备方法及磁隧道结、磁电阻随机存储器，该磁隧道结包括：固定铁磁层11、自由铁磁层12以及设于所述固定铁磁层11和所述自由铁磁层12之间的磁隧道势垒13；通过磁隧道势垒13包裹自由铁磁层12的侧面和相对固定铁磁层11的表面，或，磁隧道势垒13包裹固定铁磁层11的侧面和相对所述自由铁磁层12的表面，更有效地隔离自由铁磁层12与固定铁磁层11，提升磁隧道结的良品率，而且，不需要用离子或等离子刻蚀的方法形成MTJ垂直的轮廓，降低制备工艺的难度及提高MTJ阵列的可微缩度。
主权项：1.一种磁隧道结，其特征在于，包括：固定铁磁层、自由铁磁层以及设于所述固定铁磁层和所述自由铁磁层之间的磁隧道势垒；其中，所述磁隧道势垒包裹所述自由铁磁层的侧面和第一表面，所述磁隧道势垒相对所述固定铁磁层的表面的面积大于与所述磁隧道势垒邻接的所述固定铁磁层的表面的面积；或，所述磁隧道势垒包裹所述固定铁磁层的侧面和第二表面，所述磁隧道势垒相对所述自由铁磁层的表面的面积大于与所述磁隧道势垒邻接的所述自由铁磁层的表面的面积；所述第一表面为所述自由铁磁层相对所述固定铁磁层的表面，所述第二表面为所述固定铁磁层相对所述自由铁磁层的表面。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 华为技术有限公司 磁隧道结、磁电阻随机存储器、芯片及制备方法
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