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申请/专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日：2022-04-20
公开（公告）日：2024-06-25
公开（公告）号：CN114775043B
主分类号：C30B23/02
分类号：C30B23/02;C30B25/18;C30B29/22
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.25#授权;2022.08.09#实质审查的生效;2022.07.22#公开
摘要：本公开提供了一种提高薄膜厚度均匀性的制备方法及其薄膜，其中，本公开的一个方面提供了一种提高薄膜厚度均匀性的制备方法，包括：利用脉冲激光沉积方法在衬底上生长薄膜籽晶层，得到具有薄膜籽晶层的衬底；通过不同于脉冲激光沉积方法的其他生长方法在具有薄膜籽晶层的衬底上继续进行同质外延生长，直至薄膜的厚度达到预设阈值，其中，其他生长方法包括以下之一：电子束蒸镀、直流磁控溅射、射频磁控溅射、离子束蒸镀、金属有机物化学气相沉积、分子束外延、原子层沉积、等离子体化学气相沉积。
主权项：1.一种提高薄膜厚度均匀性的制备方法，包括：利用脉冲激光沉积方法在衬底上生长钇稳定氧化锆薄膜籽晶层，得到具有钇稳定氧化锆薄膜籽晶层的衬底；通过不同于所述脉冲激光沉积方法的其他生长方法在具有钇稳定氧化锆薄膜籽晶层的衬底上继续进行同质外延生长，直至钇稳定氧化锆薄膜的厚度达到预设阈值，其中，所述其他生长方法包括以下之一：直流磁控溅射、射频磁控溅射；其中，在所述利用脉冲激光沉积方法在衬底上制备钇稳定氧化锆薄膜籽晶层之前还包括：将所述衬底在200～1200℃的环境下进行0～24h的原位退火；在所述得到具有薄膜籽晶层的衬底之后还包括：将所述具有钇稳定氧化锆薄膜籽晶层的衬底以1~20℃min的升温速率升至200~1800℃，在氧气气氛中进行0.1~72h的退火处理，再以1~50℃min的降温速率冷却至室温；其中，利用脉冲激光沉积方法在衬底上生长钇稳定氧化锆薄膜籽晶层所使用的靶材，与利用不同于所述脉冲激光沉积方法的其他生长方法在具有钇稳定氧化锆薄膜籽晶层的衬底上继续进行同质外延生长所使用的靶材为同一种靶材，所述靶材包括钇稳定氧化锆三元氧化物靶材；其中，在所述退火处理之前、所述退火处理之后均包括：清洗所述具有钇稳定氧化锆薄膜籽晶层的衬底，清洗所述具有钇稳定氧化锆薄膜籽晶层的衬底的方法包括以下至少之一：湿法清洗、原位氩等离子体清洗、原位氢等离子体清洗。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国科学院半导体研究所 提高薄膜厚度均匀性的制备方法
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