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申请/专利权人：北京绿能芯创电子科技有限公司
申请日：2023-11-14
公开（公告）日：2024-06-25
公开（公告）号：CN221226229U
主分类号：H01L29/744
分类号：H01L29/744;H01L21/332;H01L29/423;H01L29/06
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.25#授权
摘要：本实用新型提供了一种涉及高压碳化硅功率半导体器件技术领域的高压碳化硅门极可关断晶闸管，包括由下至上依次层叠设置的阴极欧姆接触电极、N+型SiC衬底、N型SiC缓冲层、P+型SiC缓冲层以及P‑型SiC长基区，P‑型SiC长基区的上表面依次层叠N‑型SiC短基区、N型SiC短基区、P+型SiC发射区以及阳极欧姆接触电极，N型SiC短基区的平台两侧分别依次覆盖N+门极欧姆接触区和门极欧姆接触电极，阳极欧姆接触电极和门极欧姆接触电极之间沉积钝化层形成门‑阳极隔离区。本实用新型采用外延工艺，减少晶体损伤，省去了离子注入和高温退火等步骤；增大P‑长基区与N型短基区的接触面积，增强了电导调制效应，减小晶闸管开通延迟时间，提高晶闸管的开通速度和灵敏度。
主权项：1.一种高压SiC门极可关断晶闸管，其特征在于，包括阴极欧姆接触电极1、N+型SiC衬底2、N型SiC缓冲层3、P+型SiC缓冲层4以及P-型SiC长基区5，所述阴极欧姆接触电极1、所述N+型SiC衬底2、所述N型SiC缓冲层3、所述P+型SiC缓冲层4以及所述P-型SiC长基区5由下至上依次层叠设置；所述P-型SiC长基区5的上表面依次层叠N-型SiC短基区6、N型SiC短基区7、P+型SiC发射区8以及阳极欧姆接触电极9，N型SiC短基区7的平台两侧分别依次覆盖N+门极欧姆接触区10和门极欧姆接触电极11，所述阳极欧姆接触电极9和所述门极欧姆接触电极11之间形成门-阳极隔离区。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 北京绿能芯创电子科技有限公司 高压碳化硅门极可关断晶闸管
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