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一种优化框架式E-band波导耦合器 

申请/专利权人:苏州赫斯康通信科技有限公司

申请日:2023-11-09

公开(公告)日:2024-06-25

公开(公告)号:CN221226539U

主分类号:H01P5/12

分类号:H01P5/12

优先权:

专利状态码:有效-授权

法律状态:2024.06.25#授权

摘要:本实用新型公开了一种优化框架式E‑band波导耦合器,包括:耦合器框架以及安装在耦合器框架内的耦合器芯体;耦合器芯体包括:天线口法兰盘、腔体、盖板、第一耦合口法兰盘、第二耦合口法兰盘和吸波负载;天线口法兰盘用于与天线连接;腔体内设有主波导,盖板内设有副波导,通过将盖板盖在腔体上实现主波导与副波导的平行设置;主波导的一端连接天线口法兰盘,另一端通过第一输出波导与第一耦合口法兰盘连接;副波导的一端连接吸波负载,另一端通过第二输出波导与第二耦合口法兰盘连接;主波导与副波导之间设有耦合腔,耦合腔上开设用于调节主波导与副波导耦合度的矩形耦合孔。本实用新型结构简单、耦合度平坦、加工精度高。

主权项:1.一种优化框架式E-band波导耦合器,其特征在于,包括:耦合器框架以及安装在所述耦合器框架内的耦合器芯体;所述耦合器芯体包括:天线口法兰盘、腔体、盖板、第一耦合口法兰盘、第二耦合口法兰盘和吸波负载;所述天线口法兰盘用于与天线连接;所述腔体内设有主波导,所述盖板内设有副波导,通过将盖板盖在腔体上实现主波导与副波导的平行设置;所述主波导的一端连接天线口法兰盘,另一端通过第一输出波导与第一耦合口法兰盘连接;所述副波导的一端连接吸波负载,另一端通过第二输出波导与第二耦合口法兰盘连接;所述主波导与副波导之间设有耦合腔,所述耦合腔上开设用于调节主波导与副波导耦合度的矩形耦合孔。

全文数据:

权利要求:

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