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申请/专利权人：中国人民解放军国防科技大学
摘要：本申请公开了一种基于SRAM的内部存算逻辑电路、阵列和SRAM，应用于微处理器设计领域。本申请所提供的基于SRAM的内部存算逻辑电路，包括：N个第一逻辑计算电路和M个第二逻辑计算电路；第一逻辑计算电路包括SRAM单元电路、用于实现复制运算逻辑和多值运算逻辑的第一晶体管电路和一组计算位线，第二逻辑计算电路包括SRAM单元电路、第一晶体管电路、用于实现非运算逻辑的第二晶体管电路和一组计算位线。可见，本申请中增加了使其具有实现复制运算逻辑、多值运算逻辑和非运算逻辑的第一晶体管电路和第二晶体管电路，使其SRAM内部单元电路具有计算能力，不需要额外连接外接电路，降低了SRAM设计成本以及面积铺设的问题。
主权项：1.一种基于SRAM的内部存算逻辑电路，其特征在于，包括：N个第一逻辑计算电路和M个第二逻辑计算电路，其中，N和M均为大于零的整数，且N大于M；所述第一逻辑计算电路包括SRAM单元电路、用于实现复制运算逻辑和多值运算逻辑的第一晶体管电路和一组计算位线，所述第二逻辑计算电路包括所述SRAM单元电路、所述第一晶体管电路、用于实现非运算逻辑的第二晶体管电路和一组所述计算位线；其中，第I组所述计算位线的第一端与第I-1组所述计算位线的第二端相连，所述第I组所述计算位线的第二端与第I+1组所述计算位线的第一端相连，I为大于1，小于N+M的整数；所述第一晶体管电路的第一端和第二端分别与对应的所述SRAM单元电路的第一端和第二端相连，所述第一晶体管电路的第三端和第四端分别与对应的所述计算位线和对应的所述SRAM单元电路的第三端相连，所述第一晶体管电路的第五端与对应的所述计算位线相连；所述第二晶体管电路的第一端和第二端分别与对应的所述计算位线和对应的所述SRAM单元电路的第三端相连，所述第二晶体管电路的第三端和第四端分别与对应的所述SRAM单元电路的第二端和对应的所述计算位线相连。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国人民解放军国防科技大学 一种基于SRAM的内部存算逻辑电路、阵列和SRAM
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