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一种三氯氢硅提纯方法及系统 

申请/专利权人:江苏鑫华半导体科技股份有限公司

申请日:2024-04-29

公开(公告)日:2024-06-28

公开(公告)号:CN118255358A

主分类号:C01B33/107

分类号:C01B33/107;B01D3/14;B01D3/40;B01D3/32;B01D3/42;B01D15/10

优先权:

专利状态码:在审-公开

法律状态:2024.06.28#公开

摘要:本发明涉及三氯氢硅提纯技术领域,尤其涉及一种三氯氢硅提纯方法及系统,包括如下操作步骤:S01:将粗三氯氢硅引入脱轻塔内去除轻组分;S02:经S01处理后的粗三氯氢硅自脱轻塔塔釜采出,并进入萃取精馏塔的下部,与萃取精馏塔上部引入的萃取剂萃取;利用不同组分的沸点差异,分离出塔顶的纯三氯氢硅,以及塔釜的含有甲基二氯氢硅的萃取剂;S03:将萃取精馏塔顶部采出的纯三氯氢硅送入除重精馏塔内提纯,提纯后塔顶输出高纯三氯氢硅备用,塔釜四氯化硅作为萃取剂引入步骤S02中;S04:将萃取精馏塔塔釜采出的含有甲基二氯氢硅的萃取剂送入脱溶剂塔回收并提纯,提纯后甲基二氯氢硅自塔顶脱出,塔釜采出的四氯化硅作为萃取剂引入萃取精馏塔上部。可以有效提高三氯氢硅的提纯效果。

主权项:1.一种三氯氢硅提纯方法,其特征在于:包括如下操作步骤:S01:将粗三氯氢硅引入脱轻塔内去除轻组分;S02:经S01处理后的粗三氯氢硅自所述脱轻塔塔釜采出,并进入萃取精馏塔的下部,与所述萃取精馏塔上部引入的萃取剂萃取;并利用不同组分的沸点差异,分离出塔顶的纯三氯氢硅,以及塔釜的含有甲基二氯氢硅的萃取剂;S03:将萃取精馏塔顶部采出的纯三氯氢硅送入除重精馏塔内进一步提纯,提纯后塔顶输出高纯三氯氢硅备用,塔釜物料作为萃取剂引入步骤S02中;S04:将萃取精馏塔塔釜采出的含有甲基二氯氢硅的萃取剂送入脱溶剂塔回收并提纯,提纯后甲基二氯氢硅自塔顶脱出,塔釜采出的物料作为萃取剂引入所述萃取精馏塔上部。

全文数据:

权利要求:

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