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申请/专利权人：华中科技大学
申请日：2024-03-21
公开（公告）日：2024-06-28
公开（公告）号：CN118254491A
主分类号：B41M5/00
分类号：B41M5/00;C23C14/08;C23C14/35;C23C14/24;C23C16/40;C23C16/455;B82Y40/00;B82Y30/00
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.28#公开
摘要：本发明属于电流体喷印相关技术领域，其公开了一种高剖面绝缘基板单电极高分辨率电流体喷印方法、高分辨率功能图案及其应用，方法包括：S1：对绝缘基板进行清洗，而后置于氧等离子体刻蚀机内进行表面羟基化；S2：在羟基化后的绝缘基板表面制备金属氧化物纳米层；S3：采用电流体喷印技术在表面覆有金属氧化物纳米层的绝缘基板表面打印获得高分辨率功能图案。本申请可解决在高绝缘性、非平面基板上电流体射流不稳定的难题，实现在平面或曲面绝缘基底上进行功能性图案的喷印制备。
主权项：1.一种高剖面绝缘基板单电极高分辨率电流体喷印方法，其特征在于，包括：S1：对绝缘基板进行清洗，而后置于氧等离子体刻蚀机内进行表面羟基化；S2：在羟基化后的绝缘基板表面制备金属氧化物纳米层；S3：采用电流体喷印技术在表面覆有金属氧化物纳米层的绝缘基板表面打印获得高分辨率功能图案。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 华中科技大学 一种高剖面绝缘基板单电极高分辨率电流体喷印方法、高分辨率功能图案及其应用
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