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申请/专利权人：成汤碳能(成都)科技有限公司
申请日：2024-03-29
公开（公告）日：2024-06-28
公开（公告）号：CN118256898A
主分类号：C23C16/455
分类号：C23C16/455;C23C16/40;C23C16/52;G01N30/02;G01N30/06;G01N30/72
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.28#公开
摘要：本申请是关于一种基于ALD改进的量子团块阵列金属氧化物纳米材料制备方法以及系统。具体包括以下步骤：建立纳米一体化平台，选择多孔的贵金属碳纳米材料作为基底模板；在多孔基底材料上采用ALD循环法沉积N层金属氧化物原子层；封装成包括气敏部分、电路板、通信模块、芯片的气体传感器模组；将N层金属氧化物原子层依次采用ALD制备循环过程。本申请改进了纳米材料的工艺，提供了效率，采用组合多种金属氧化物、高分子有机物、贵金属等气敏原件阵列，可以覆盖更多气体，解决现有技术覆盖其他种类少的问题，此外，制备的气敏模组可以提高气体测量响应精度下限能达到十分之一个PPb级，解决气体测量精度和测量广度不够的问题。
主权项：1.一种基于ALD改进的量子团块阵列金属氧化物纳米材料制备方法以及系统，其特征在于：具体包括以下步骤：1建立纳米一体化平台，选择多孔的贵金属碳纳米材料作为基底模板；2在多孔基底材料上采用ALD循环法沉积N层金属氧化物原子层；3封装成包括气敏部分、电路板、通信模块、芯片的气体传感器模组；4对气体传感器模组进行基本模组测试、各个部分功能测试以及整体测试；5根据测试情况循环优化调整；6将N层金属氧化物原子层依次采用ALD制备循环过程。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 成汤碳能(成都)科技有限公司 一种基于ALD改进的量子团块阵列金属氧化物纳米材料制备方法以及系统
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