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申请/专利权人：桑迪士克科技有限责任公司
申请日：2022-05-22
公开（公告）日：2024-06-28
公开（公告）号：CN118266280A
主分类号：H10B43/27
分类号：H10B43/27;H10B43/35;H10B43/50
优先权：["20220224 US 17/679,335"]
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.28#公开
摘要：一种存储器器件包括位于衬底上方的绝缘层和导电层的交替堆叠、包括竖直半导体沟道和存储器膜的存储器开口填充结构。该存储器膜包括与该竖直半导体沟道接触的隧穿介电层、位于该绝缘层的层级处并且包括第一元素的介电氧化物材料的第一介电氧化物材料部分的第一竖直堆叠、以及位于该导电层的层级处并且包括混合介电氧化物材料的第二介电氧化物材料部分的第二竖直堆叠，该混合介电氧化物材料是该第一元素和第二元素的介电氧化物材料。
主权项：1.一种存储器器件，包括：位于衬底上方的绝缘层与导电层的交替堆叠；竖直地延伸穿过所述交替堆叠的存储器开口；以及存储器开口填充结构，所述存储器开口填充结构位于所述存储器开口中并且包括竖直半导体沟道和存储器膜，其中所述存储器膜包括：隧穿介电层，所述隧穿介电层与所述竖直半导体沟道接触；第一介电氧化物材料部分的第一竖直堆叠，其位于所述绝缘层的层级处并且包括选自Al、Si或过渡金属元素的第一元素的介电氧化物材料；和第二介电氧化物材料部分的第二竖直堆叠，其位于所述导电层的层级处并且包括混合介电氧化物材料，所述混合介电氧化物材料是所述第一元素和第二元素的介电氧化物材料，所述第二元素选自Al、Si或过渡金属元素并且不同于所述第一元素。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 桑迪士克科技有限责任公司 包括混合氧化物电荷俘获材料的存储器器件及其形成方法
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