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申请/专利权人：闪迪技术有限公司
申请日：2023-05-08
公开（公告）日：2024-06-28
公开（公告）号：CN118266032A
主分类号：G11C16/26
分类号：G11C16/26;G11C16/10;G11C11/56;G11C16/04
优先权：["20220623 US 17/847,698"]
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.28#公开
摘要：该存储器设备包括多个存储块，该多个存储块可分别在每存储器单元多位模式或每存储器单元单位模式下操作。编程和读取期间的某些电压参数在这两种操作模式之间共享，并且某些电压参数对于每种操作模式是唯一的。一个唯一的电压参数是施加到邻近正被读取的所选择的字线的字线的通过电压VREADK。另一个唯一的电压参数是在编程期间施加到选择栅极漏极晶体管的VSGD电压。另一个唯一的电压参数是施加到耦接到被禁止编程的存储器单元的位线的禁止电压，同时其他存储器单元被编程。
主权项：1.一种操作存储器设备的方法，所述方法包括以下步骤：准备存储块，所述存储块包括布置在多个字线中的多个存储器单元；确定所述存储块是处于每存储器单元多位模式还是每存储器单元单位模式；以及在对所述多个字线中的选择的字线进行读取操作期间，响应于所述存储块处于所述每存储器单元多位模式，将第一VREADK电压施加到紧邻所述选择的字线的所述多个字线的所述字线，或响应于所述存储块处于所述每存储器单元单位模式，将第二VREADK电压施加到紧邻所述选择的字线的所述多个字线的所述字线，所述第二VREADK电压与所述第一VREADK电压不同。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 闪迪技术有限公司 具有唯一读取和/或编程参数的存储器设备
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